| 主权项 |
1.一种电晶体的制造方法,包括提供一基底,且依序在该基底上形成一牺牲层、一金属层与一绝缘层;形成一图案化之光阻层在该绝缘层上,以定义一第一闸极窗;利用该图案化之光阻层为一罩幕,去除部分该绝缘层与该金属层,形成该第一闸极窗,且该第一闸极窗暴露出部分该牺牲层;侧面去除部分该图案化之光阻;利用该保留之光阻为一罩幕,侧面去除部分该保留绝缘层,形成一第二闸极窗,其中该第二闸极窗宽度大于该第一闸极窗宽度,使该第一闸极窗与该第二闸极窗形成一T形闸极窗;进行一热制程,以一反应形成一源极/汲极在该金属层与该金属层下方之该牺牲层之间;去除在该T形闸极窗中之该牺牲层;形成一闸极介电层在该保留绝缘层与该源极/汲极上;以及形成一闸极电极在该T形闸极窗之中。2.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中形成该闸极电极之该步骤更包括:形成一导体层在该闸极介电层上,并填满该T形闸极窗;以及去除部分该导体层而形成该闸极电极,且该闸极电极具有一表面,该表面与该保留绝缘层上之该闸极介电层表面共面。3.如申请专利范围第2项所述之电晶体的制造方法,其中去除该部分导体层是以化学机械研磨法去除。4.如申请专利范围第2项所述之电晶体的制造方法,其中去除该部分导体层是以回蚀刻法去除。5.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中形成该闸极电极之该步骤更包括:形成一第一导体层在该T形闸极窗之下层部分;形成一第二导体层在该闸极介电层上,并填满该T形闸极窗;以及去除部分该第二导体层形成该闸极电极,且该闸极电极具有一表面,该表面与该保留绝缘层上之该闸极介电层表面共面。6.如申请专利范图第1项所述之电晶体的制造方法,其中该热制程为一合金制程,系将该金属层与该金属层下面之该牺牲层合金,形成该源极/汲极。7.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中该牺牲层系选自包括Si1-xGex、GaAs、InGaAs、InP、In1-x GaxAsyP1-y。8.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中该金属层系选自包括钴、镍、钯、铂、铑、钛、锡、钨。9.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中侧面去除该图案化之光阻系以一等向性蚀刻制程去除。10.如申请专利范围第1项所述之电晶体的制造方法,其中侧面去除该保留绝缘层系以一等向性蚀刻制程去除。11.一种T形闸极窗的制造方法,包括:提供一基底,且依序在该基底上形成一牺牲层、一金属层与一绝缘层;形成一图案化之光阻层于该绝缘层上,以定义一第一闸极窗;利用该图案化之光阻为一罩幕,去除部分该绝缘层与该金属层,形成该第一闸极窗,且该第一闸极窗暴露出部分该牺牲层;侧面去除部分该图案化之光阻;以及利用该保留之光阻为一罩幕,侧面去除部分该保留绝缘层,形成一第二闸极窗,其中该第二闸极窗之宽度大于该第一闸极窗之宽度,使该第一闸极窗与该第二闸极窗形成一T形闸极窗。12.如申请专利范围第11项所述之T形闸极窗的制造方法,其中该牺牲层系选自包括Si1-xGex、GaAs、InGaAs、InP、In1-xGaxAsyP1-y。13.如申请专利范围第11项所述之T形闸极窗的制造方法,其中该金属层系选自包括钴、镍、钯、铂、铑、钛、锡、钨。14.如申请专利范围第11项所述之T形闸极窗的制造方法,其中侧面去除该图案化之光阻系以一等向性蚀刻制程去除。15.如申请专利范围第11项所述之T形闸极窗的制造方法,其中侧面去除该保留绝缘层系以一等向性蚀刻制程去除。16.一种T形开口的制造方法,包括:提供一基底,且在该基底上形成一材质层;形成一图案化之光阻层在该材质层上,以定义一第一开口;利用该图案化之光阻为一罩幕,去除部分材质层,形成该第一开口;侧面去除部分该图案化之光阻;以及利用该保留之光阻为一罩幕,侧面去除部分该保留材质层,形成一第二开口,其中该第二开口之宽度大于该第一开口之宽度,使该第一开口与该第二开口形成一T形开口。17.如申请专利范围第16项所述之T形开口的制造方法,其中该材质层系一绝缘层。18.如申请专利范围第16项所述之T形开口的制造方法,其中侧面去除该图案化之光阻系以一等向性蚀刻制程去除。19.如申请专利范围第16项所述之T形开口的制造方法,其中侧面去除该保留绝缘层系以一等向性蚀刻制程去除。图式简单说明:第一图至第十图是依照本发明一较佳实施例之电晶体之制造流程剖面图。 |
