| 主权项 |
1.一种导电凸块制程之平坦化方法,该方法包含:形成第一聚醯亚胺(polyimide)于一基板之上;形成一平坦层于该第一聚醯亚胺(polyimide)之上;同时曝光该平坦层以及该第一聚醯亚胺(polyimide);同时显影该平坦层以及该第一聚醯亚胺(polyimide),形成穿孔以暴露导电焊垫;固化该平坦层以及该第一聚醯亚胺(polyimide),用以提供平坦化之表面;分布电路于该第一聚醯亚胺(polyimide)之上;形成第二聚醯亚胺(polyimide)于该平坦化层及该电路之上;及形成导体凸块于该第二聚醯亚胺(polyimide)之上与该电路连接。2.如申请专利范围第1项之导电凸块制程之平坦化方法,其中在形成该导体凸块之后更包含热流该导体凸块。3.如申请专利范围第1项之导电凸块制程之平坦化方法,其中上述之平坦层系以感光材质所组成。4.如申请专利范围第3项之导电凸块制程之平坦化方法,其中上述之感光材质系以负光阻所组成。5.如申请专利范围第1项之导电凸块制程之平坦化方法,其中上述之固化温度约为摄氏300至400度。6.一种导电凸块制程中之平坦化方法,该方法包含:形成第一聚醯亚胺(polyimide)于一基板之上;形成一感光材质做为平坦层于该第一聚醯亚胺(polyimide)之上;同时曝光该感光材质以及该第一聚醯亚胺(polyimide);同时显影该感光材质以及该第一聚醯亚胺(polyimide),形成穿孔以暴露导电焊垫;及固化该感光材质以及该第一聚醯亚胺(polyimide),用以提供平坦化之表面。7.如申请专利范围第6项之导电凸块制程中之平坦化方法,其中在该固化之后更包含:分布电路于该第一聚醯亚胺(polyimide)之上;形成第二聚醯亚胺(polyimide)于该平坦化层及该电路之上;及形成导体凸块于该第二聚醯亚胺(polyimide)之上与该电路连接。8.如申请专利范围第7项之导电凸块制程中之平坦化方法,其中在形成该导体凸块之后更包含热流该导体凸块。9.如申请专利范围第6项之导电凸块制程中之平坦化方法,其中上述之感光材质系以负光阻所组成。10.如申请专利范围第6项之导电凸块制程中之平坦化方法,其中上述之固化温度约为摄氏300至400度。11.一种导电凸块制程之平坦化方法,该导电凸块下包含藉由一穿孔相连之导电层与导电焊垫,该方法之特征为包含:形成一聚醯亚胺(polyimide)层与一平坦化层于该导电层与该导电焊垫之间,做为一绝缘以及平坦化之功用,并同时曝光显影该聚醯亚胺(polyimide)层与该一平坦化层,用以形成该穿孔于该聚醯亚胺(polyimide)层与一平坦化层中,之后在同时固化该聚醯亚胺(polyimide)层与一平坦化层,防止凸出结构之形成及所造成之电路断线。12.如申请专利范围第11项之导电凸块制程之平坦化方法,其中上述之平坦层系以感光材质所组成。13.如申请专利范围第12项之导电凸块制程之平坦化方法,其中上述之感光材质系以负光阻所组成。14.如申请专利范围第11项之导电凸块制程之平坦化方法,其中上述之固化温度约为摄氏300至400度。15.一种导电凸块制程之平坦化方法,该方法之特征为包含提供一感光材质于一聚醯亚胺(polyimide)层之上做为平坦化层,俾使该感光材质与该聚醯亚胺(polyimide)层可以同时曝光、显影并同时固化,以利于得到平坦化之表面。16.如申请专利范围第15项之导电凸块制程之平坦化方法,其中上述之感光材质系以负光阻所组成。17.如申请专利范围第15项之导电凸块制程之平坦化方法,其中上述之固化温度约为摄氏300至400度。图式简单说明:第一图所显示为本发明形成第一聚醯亚胺(polyimide)与平坦层之半导体基板截面图。第二图所显示为本发明一次曝光以及显影第一聚醯亚胺与平坦层之半导体基板截面图。第三图所显示为本发明重新系置电路以及形成第二聚醯亚胺(polyimide)之半导体基板截面图。第四图所显示为本发明形成锡球凸块之半导体基板截面图。第五图所显示为传统长凸块制程中形成凸起结构之截面图。 |
