| 主权项 |
1.一种基板处理装置,系具有:保持基板的保持器;对此基板表面供给多数处理液的喷嘴;及设置于前述保持器周围的容器,前述容器具有多数的处理室,此等多数的处理室具有多段设置的开口部,构成前述保持器与前述容器相对性地自由移动,而用以使前述各处理室之各别的开口部能在前述保持器所保持之基板的周围移动,前述各处理室之底面各别连接着用以使处理液排液的回路,此等回路之中至少一个回路系连接于前述喷嘴,且具有将经排出之处理液从前述喷嘴再度供给至基板之表面的再循环回路。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中前述将因应供给前述基板之处理液的前述处理室配置于前述基板的周围,故能使前述处理室在前述保持器所保持之基板的周围移动。3.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中前述多数的处理室乃由第1处理室与第2处理室所构成,前述容器系由形成第1处理室之同时形成第2处理室之一部分的第1构件,及形成前述第1构件同时地形成第2处理室之第2构件所构成,前述第1处理室具有第1开口部,前述第2处理室具有第2开口部,相对于前述保持器所保持之基板,构成将前述容器相对于前述保持器而相对性地自由移动般地,使前述第1开口部及前述第2开口部移动。4.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中前述保持器能以保持前述基板的状态下进行旋转。5.如申请专利范围第3项之基板处理装置,其中前述基板被前述保持器保持呈水平而以垂直轴为中心进行旋转,前述第1构件系配置于前述第2构件的下侧,前述第1开口部系配置于前述第2开口部的下侧。6.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中在前述再循环回路介设着用以贮存处理液的主贮存槽。7.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其中设置用以循环前述主贮存槽内之处理液的循环回路,于此循环回路设置用以调整处理液温度的温度控制器。8.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其中在前述再循环回路设置用以调整处理液温度的温度控制器。9.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中在前述再循环回路之前述主贮存槽之上流侧设置副贮存槽,于连接此副贮存槽与前述主贮存槽之间的连接回路设置前述温度控制器。10.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中系在前述再循环回路之前述主贮存槽之上流侧设置副贮存槽,于此副贮存槽设置前述温度控制器。11.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其中于前述主贮存槽至前述喷嘴之间设置三向阀,并设置从此三向阀将处理液返送至前述主贮存槽的返送回路。12.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其中在前述主贮存槽连接用以对主贮存槽内补充处理液的补充槽。13.如申请专利范围第3项之基板处理装置,其中将前述第1构件与前述第2构件构成相对性地自由昇降。14.如申请专利范围第13项之基板处理装置,其中下降前述第1构件与前述第2构件,使前述第1开口部呈关闭状态,使前述第2开口部配置在比前述保持器更下侧位置的状态,而于前述保持器进行基板的交接。15.如申请专利范围第3项之基板处理装置,其中透过连接于前述各处理室底面之各回路而进行各处理室内之环境气体的各别排气。16.如申请专利范围第15项之基板处理装置,其中于前述各回路分别设置气液分离装置。17.如申请专利范围第16项之基板处理装置,其中系下降前述第1构件与前述第2构件,使前述第1开口部呈关闭状态,使前述第2开口部配置在前述保持器所保持之基板的侧方,从连接前述第2处理室底面的回路来进行第2处理室内之环境气体的排气。18.如申请专利范围第16项之基板处理装置,其中于多数处理液之中,以药液处理之际,使前述第1开口部配置在前述保持器所保持之基板的侧方,使前述第2开口部配置在前述第1开口部的上方,透过前述第1处理室内及前述第2处理室内而从连接于前述第1及第2处理室底面之两回路来排出前述药液的环境气体。19.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中将用以进行室内环境气体之排气的排气回路各别地连接于前述各处理室的底面。图式简单说明:第一图系具备本发明之第1实施样态之晶圆洗净装置之洗净装置的立体图。第二图系本发明之第1实施样态之晶圆洗净装置的断面图。第三图系本发明之第1实施样态之晶圆洗净装置的断面图,而表示晶圆之搬入出时的状态。第四图系本发明之第1实施样态之晶圆洗净装置的断面图,而表示漂洗洗净时及旋转乾燥时的状态。第五图系本发明之第1实施样态之晶圆洗净装置的回路图。第六图系本发明之第2实施样态之晶圆洗净装置的回路图。第七图系本发明之第3实施样态之晶圆洗净装置的回路图。第八图系本发明之第4实施样态之晶圆洗净装置的回路图。第九图系合并主贮存槽及副贮存槽之位并槽的说明图。第十图系一般晶圆洗净装置的回路图。 |
