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1.一种用于一液晶显示(liquid crystal display, LCD)系统 中之埋藏式(buried)电晶体,其包含有一嵌入式结构( damascene structure)设于一玻璃基板(glass substrate)表面 中,形成一倒置型(inverted)电晶体,用来驱动一像素 电极(pixel electrode),该倒置型电晶体包含有一金属 闸极 (metal gate)形成于该嵌入式结构的底端,以及一闸极 绝缘层形成于该金属闸极之上。2.如申请专利范 围第1项之埋藏式电晶体,其中该液晶显示系统系 为一扭转向列(twist-nematic, TN)式液晶显示系统。3. 如申请专利范围第1项之埋藏式电晶体,其中该玻 璃基板系由高纯化二氧化矽(high-purified SiO2)所构 成。4.如申请专利范围第1项之埋藏式电晶体,其中 该金属闸极由铝、铬、铜、钨、或以上之金属合 金所构成。5.如申请专利范围第1项之埋藏式电晶 体,其中该金属闸极之垂直剖面厚度系介于30至40 微米之间,而水平剖面宽度系介于3至4微米之间。6 .如申请专利范围第1项之埋藏式电晶体,其中该闸 极绝缘层系由氮化矽所构成。7.如申请专利范围 第1项之埋藏式电晶体另包含有一由掺杂半导体材 料所构成之汲极以及源极形成于该闸极绝缘导层 上,分别用来电连接该像素电极以及一讯号线( signal line)。8.如申请专利范围第7项之埋藏式电晶 体,其中该汲极以及源极系皆由掺杂多晶矽(doped polysilicon)或掺杂非晶矽(doped amorphous silicon)所构成 。9.如申请专利范围第1项之埋藏式电晶体,其中该 埋藏式电晶体之顶部系约与该玻璃基板之表面切 齐。10.如申请专利范围第1项之埋藏式电晶体,其 中该像素电极系由氧化铟锡(indium tin oxide, ITO)所 构成。11.一种制作一埋藏式液晶显示电晶体的方 法,该方法包含有下列步骤: 提供一玻璃基板; 进行一嵌入式(damascene)制程,以于该玻璃基板表面 定义出一主动区域(active area),并且于该玻璃基板 表面形成一嵌入式结构; 于该嵌入式结构中形成一金属闸极; 于该玻璃基板表面依序沉积一闸极绝缘层,覆盖于 该嵌入式结构表面以及该金属闸极表面,以及一半 导体材料层,覆盖于该闸极绝缘层表面; 进行一平坦化制程,以去除该主动区域以外之该闸 极绝缘层以及该半导体材料层,并且使该半导体材 料层表面约略与该玻璃基板表面切齐; 于该半导体材料层上形成一光阻层,且该光阻层定 义出该埋藏式液晶显示电晶体之通道长度(channel length);以及 进行一离子布植制程,掺杂未被该光阻层覆盖之该 半导体材料层,以形成该埋藏式液晶显示电晶体之 汲极以及源极。12.如申请专利范围第11项之方法, 其中形成该金属闸极的方法包含有下列步骤: 于该玻璃基板表面形成一金属层,并且填满该嵌入 式结构;以及 进行一回蚀刻制程,蚀刻该金属层,以去除该嵌入 式结构之外的该金属层,并蚀刻该嵌入式结构内一 预定深度之该金属层。13.如申请专利范围第12项 之方法,其中该金属闸极之垂直剖面厚度系介于30 至40微米之间,而水平剖面宽度系介于3至4微米之 间。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该金属 层系由铝、铬、铜、钨、或以上之金属合金所构 成。15.如申请专利范围第11项之方法,其中该嵌入 式制程包含有一湿蚀刻步骤用来定义出该主动区 域,以及一电浆乾蚀刻步骤用来定义出该金属闸极 之结构。16.如申请专利范围第11项之方法,其中该 嵌入式制程系为一双嵌入式(dual damascene)制程。17. 如申请专利范围第11项之方法,其中该半导体材料 层系由多晶矽(polysilicon)或非晶矽(amorphous silicon) 所构成。18.如申请专利范围第11项之方法,其中该 闸极绝缘层系由氮化矽所构成。图式简单说明: 第一图至第四图为习知制作一液晶显示系统之电 晶体的方法示意图。 第五图至第十三图为本发明较佳实施例之制作一 液晶显示系统之电晶体的方法示意图。 第十四图与第十五图为本发明另一实施例之方法 示意图。 |
