降低场氧化层所导致的接面漏电流之动态随机存取记忆体及其方法

摘要

随着动态随机存取记忆体积集度的增加以及元件尺寸的缩小，接面漏电流的大小对于资料保留时间的影响更形重要，进一步更影响整个晶片的性能表现。本发明为了降低场氧化层所导致的接而漏电流，藉由调整离子植入的能量与剂量，使接面因为应力而容易产生漏电流的缺陷区，能被涵盖于离子植入的区域，而不至于落在空乏区；本发明揭示之降低场氧化层所导致的接面漏电流之动态随机存取记忆体及其方法可有效降低漏电流，延长资料保留时间以及降低资料更新的频率。

主权项

1.一种降低动态随机存取记忆体之场氧化层所导 致的接面漏电流之方法,其特征在于进行离子植入 ,使离子植入区域涵盖场氧化层与矽基材接面的缺 陷。2.如申请专利范围第1项之方法,其中系使离子 植入区域足够涵盖场氧化层与矽基材接面的缺陷 而使该缺陷区不落在空乏区内。3.如申请专利范 围第1项之方法,其中系调整离子植入的能量或剂 量,使离子植入区域涵盖场氧化层与矽基材接面的 缺陷。4.如申请专利范围第1项之方法,其中离子植 入系以三价离子,或五价离子为离子源,进行离子 植入。5.一种降低场氧化层所导致的接面漏电流 之动态随机存取记忆体,包含一场氧化层、一矽基 材及一离子植入区,其特征在于该离子植入区域涵 盖场氧化层与矽基材接面的缺陷区。6.如申请专 利范围第5项之记忆体,其中该离子植入区系利用 三价或五价离子作为离子源进行离子植入。图式 简单说明: 第一图显示本发明之降低场氧化层所导致的接面 漏电流之方法所完成之装置示意图