发明名称 电子束曝光方法及设备,与使用其所制造的半导体装置
摘要 本发明提供一种电子来曝光方法及一种电子束曝光设备,其适合使用于电子束曝光技术中,用来藉由电子束实施曝光于被放置在样品台上的样品,而同时连续地移动样品台,两者都能够实施高准确度及高速度曝光,而不会受到被使用于电子束之追偏向之DA转换器的干扰杂讯所影响。样品台之位置及施加电子束之位置的位移被决定,并且所决定之位移被分成发射同步追量和即时追量,各自与发射时序同步,用来施加电子束而藉以减少即时追量,藉此,防止由于被使用于追偏向之DA转换器的干扰杂讯而造成曝光准确度方面变差的发生。因此,有可能实现高准确度曝光。因为追区域通过一转变的数目能够藉由增加追偏向的范围而被减小,所以可以减少浪费时间,而因此使得高速度曝光成为可能。
申请公布号 TW464908 申请公布日期 2001.11.21
申请号 TW089101659 申请日期 2000.01.31
申请人 日立制作所股份有限公司 发明人 奥村正秀;高桥弘之;安藤公明
分类号 H01J37/00;H01L21/30 主分类号 H01J37/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种电子束曝光方法,其根据电子束的偏向而同 时连续移动具有样品被放置于其上之样品台来实 施曝光,该方法包括下面的步骤: 用以决定该样品台之位置和施加电子束之位置的 位移之步骤; 用以取样与被提供来施加电子束之时序同步的该 等位移并根据电子束的偏向来决定第一追偏向 量以便修正所取样之位移的步骤; 用以设定该第一追偏向量做为原点并决定第二 追偏向量以便在比用于第一追偏向量之计算 周期还短的周期内修正离开原点之变动量的步骤; 用以将该第一追偏向量及该第二追偏向量加 到用于图形曝光之电子束的偏向量之步骤;以及 用以根据所加总之偏向资料来执行该偏向的步骤 。2.如申请专利范围第1项之电子束曝光方法,其中 每次当电子束被施加多次时,用于该取样之时序被 更新。3.如申请专利范围第1项之电子束曝光方法, 其中该第一追偏向量和该第二追偏向量分别 被界定做为藉由数位地加进一偏移所获得的量。4 .一种电子束曝光方法,其根据电子束的偏向而同 时连续移动具有样品被放置于其上之样品台来实 施曝光,该方法包括下面的步骤: 用以计算该样品台之位置和施加电子束之位置的 位移之步骤; 用以根据与被提供来施加电子束之时序同步之电 子束的偏向来计算第一追偏向量以便修正该位 移之步骤; 用以设定该第一追偏向量做为原点并决定第二 追偏向量以便在比用于第一追偏向量之计算 周期还短的周期内修正离开原点之变动量的步骤; 用以将该第一追偏向量及该第二追偏向量加 到系藉由图案产生器所计算之用于图形曝光之电 子束的偏向量之步骤;以及 用以根据所加总之偏向资料量来执行该偏向的步 骤。5.一种电子束曝光设备,其中根据电子束的偏 向来实施曝光而同时具有样品被放置于其上之样 品台正被连续地移动,该设备包括: 一计算单元,用以决定该样品台之位置及施加电子 束之位置的位移; 一第一追偏向修正单元,用以决定第一追偏向 量,以便修正与被提供来施加电子束之时序同步的 该位移; 一第二追偏向修正单元,用以设定该第一追偏 向量做为原点并决定第二追偏向量,以便在比用 于由该第一追偏向修正单元所执行之修正的周 期还短之周期内修正离开原点的变动量; 一加法器,用以将该第一追偏向量及该第二追 偏向量加到用于图形曝光之电子束的偏向量;以及 一偏向器,用以根据所加总之偏向资料来执行该偏 向。6.如申请专利范围第5项之电子束曝光设备,其 中该第一追偏向量藉由该加法器而被加到用于 图形曝光之电子束的偏向量,该加法器数位地加总 该第一追偏向量和该用于曝光的偏向量并且之 后,加总的结果被转变成为类比型式,藉此来实现 该偏向。7.如申请专利范围第5项之电子束曝光设 备,其中该第一追偏向量藉由该加法器而被加到 用于图形曝光之偏向束的偏向量,该第一追偏向 量和用于该曝光之该偏向量分别被转变成为类比 型式,而后被类比地加在一起,之后,加总的结果被 输出到该偏向器。8.如申请专利范围第5项之电子 束曝光设备,其中该第一追偏向量和该第二追 偏向量分别被界定做为藉由数位地加进一偏移所 获得的量。图式简单说明: 第一图系用来说明本发明之基本电子束曝光方法 的图形; 第二图系显示例举本发明的一个实施例之电子束 曝光设备之基本构件之操作的波形图; 第三图系习知电子束曝光设备之片断的方块图; 第四图系显示本发明之第一实施例之电子束曝光 设备的片断方块图; 第五图系例举本发明之第二实施例之电子束曝光 设备的方块图; 第六图系显示本发明之第一实施例之电子束曝光 设备的操作流程图;以及 第七图(a)到第七图(d)分别系装置的剖面图,显示其 制程。
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