发明名称 |
Trench capacitor cell structure of dram |
摘要 |
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申请公布号 |
EP0644591(B1) |
申请公布日期 |
2001.11.21 |
申请号 |
EP19940114596 |
申请日期 |
1994.09.16 |
申请人 |
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA |
发明人 |
IBA, JUNICHIRO;KOHYAMA, YUSUKE |
分类号 |
H01L27/04;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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