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发明名称 DUAL THRESHOLD VOLTAGE SRAM CELL WITH BIT LINE LEAKAGE CONTROL
摘要
申请公布号 EP1155413(A1) 申请公布日期 2001.11.21
申请号 EP20000908724 申请日期 2000.02.17
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 KESHAVARZI, ALI;ZHANG, KEVIN;YE, YIBIN;DE, VIVEK
分类号 G11C11/412;G11C11/418;(IPC1-7):G11C11/412 主分类号 G11C11/412
代理机构 代理人
主权项
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