| 发明名称 |
METHOD OF FORMING LOW PRESSURE SILICON OXYNITRIDE DIELECTRICS HAVING HIGH RELIABILITY |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
SG84533(A1) |
申请公布日期 |
2001.11.20 |
| 申请号 |
SG19990002994 |
申请日期 |
1999.06.21 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
ZHONG DONG |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/314;H01L29/51;(IPC1-7):H01L21/469 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
