| 发明名称 |
A METHOD TO FORM SIDEWALL POLYSILICON CAPACITORS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG84615(A1) |
申请公布日期 |
2001.11.20 |
| 申请号 |
SG20000004627 |
申请日期 |
2000.08.17 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
YANG PAN |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L27/06;(IPC1-7):H01L21/302 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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