GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE USING TRANSFORMED P-TYPE ELECTRODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF,申请号KR20000024466-传众专利搜索

发明名称	GALLIUM NITRIDE LIGHT EMITTING DIODE USING TRANSFORMED P-TYPE ELECTRODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号	KR20010102795(A)	申请公布日期	2001.11.16
申请号	KR20000024466	申请日期	2000.05.08
申请人	KWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY	发明人	HWANG, HYEON SANG;KIM, HYEON SU;PARK, SEONG JU
分类号	(IPC1-7):H01L33/00	主分类号	(IPC1-7):H01L33/00
代理机构		代理人
主权项
地址