| 摘要 |
<p>질화갈륨의 소자 제조방법에 관한 것으로, 소자특성이 저하되지 않으면서도 소스전극과 드레인전극의 저항을 최소화시킬 수 있는 질화갈륨 소자를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 데에 그 목적이 있으며, 기판 위에 언도프드 질화갈륨(undoped GaN)을 성장시켜 버퍼층을 형성하는 단계, 버퍼층 위에 버퍼층을 형성할 때보다 온도를 낮추고 언도프드 질화갈륨을 성장시켜 에피텍셜층을 형성하는 단계, 에피텍셜층 위에 실리콘이 첨가된 n형 질화갈륨을 성장시켜 활성화층을 형성하는 단계, 활성화층 위에 언도프드 질화갈륨을 성장시켜 에치스토퍼층을 형성하는 단계, 에치스토퍼층 위에 실리콘이 첨가된 n+형 질화갈륨을 성장시켜 접촉층을 형성하는 단계, 접촉층과 에치스토퍼층과 활성화층과 에피텍셜층의 일부를 메사에칭(MESA etching)방법으로 식각하는 단계, 식각된 부분과 접촉층 위 일부에 제 1 포토레지스트를 소스전극과 드레인전극의 형상대로 패터닝하는 단계, 제 1 포토레지스트를 마스크로 하여 에피텍셜층과 상기 활성화층에 실리콘을 주입하는(doping) 단계, 제 1 포토레지스트를 마스크로 금속을 증착하여 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계, 제 1 포토레지스트를 제거한 후에 제 2 포토레지스트를 게이트전극의 형상대로 패터닝하는 단계, 제 2 포토레지스트를 마스크로 하여 게이트 리세스 에칭(Gate recess etching)을 수행하는 단계, 접촉홀에 의해 노출된 에치스토퍼층 위에 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되어 소자의 쇼트키 특성이 저하되지 않고, 소스전극과 드레인전극의 저항을 낮출 수 있는 효과가 있다.</p> |
