| 摘要 |
웨이퍼 (4) 의 연마에 앞서, 웨이퍼 (4) 와 동일한 형상·치수를 갖는 반도체를 웨이퍼 (4) 대신에 연마헤드 (2) 에 유지시킨다. 연마헤드 (13) 의 창 (15) 과 반사체 사이에 연마제 (5) 를 개재시켜, 웨이퍼 (4) 의 연마시와 동일한 압력으로 반사체를 연마체 패드 (13) 에 누른다. 이 상태에서, 광원 (31) 으로부터 발사한 프로브광을 창 (15) 을 통하여 반사체에 조사하고, 그 반사광의 분광강도를 기준 스펙트럼으로서 센서 (43) 로부터 얻는다. 웨이퍼 (4) 의 연마중에는 센서 (43) 로부터 웨이퍼 (4) 의 반사광의 분광강도를 계측 스펙트럼으로서 순서대로 얻어, 해당 계측 스펙트럼의 상기 기준 스펙트럼에 대한 강도비를 구하고, 이에 기초하여 웨이퍼 (4) 의 연마상황을 모니터링한다. |
