| 摘要 |
<p>Die Erfindung beschreibt ein Verfahren für die Herstellung von Bipolartransistoren unter Zuhilfenahme der selektiven Epitaxie für die Herstellung von Kollektor und Basis. Das erfindungsgemäße Verfahren besitzt den Vorteil, daß durch die isotrope Ätzung der leitenden Schicht bzw. die Oxidation der leitenden Schicht und anschließende Entfernung der Oxidschicht der Bereich der Basis verbreitert wird, so daß bei der nachfolgenden Erzeugung der Basis keine Kurzschlüsse zwischen Emitter und Kollektor auftreten können.</p> |
