Photoresist-Zusammensetzung für ein Resist-Fließverfahren und Verfahren zur Bildung eines Kontaktlochs unter Verwendung desselben

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt Photoresist-Zusammensetzungen bereit, die in einem Resist-Fließverfahren von Nutzen sind. Die vorliegende Erfindung stellt ebenfalls ein Verfahren zur Bildung eines Kontaktlochmusters unter Verwendung derselben bereit. Das Photoresist-Harz der vorliegenden Erfindung umfaßt insbesondere ein Gemisch von zwei oder mehreren Polymeren. Ein Gemisch eines ersten Copolymers und eines zweiten Copolymers wird vorzugsweise vernetzt, und es wird somit vermieden, daß ein Kontaktloch aufgrund des Überfließens kollabiert, was typischerweise während herkömmlicher Resist-Fließverfahren beobachtet wird. Photoresist-Zusammensetzungen der vorliegenden Erfindung ermöglichen zusätzlich die Bildung von Mustern einheitlicher Größe.