| 摘要 |
<p>제2 도전형을 갖는 반도체 층(102), 반도체 층(102) 상에 형성되어 있으며 광을 전하로 변환하는 광전 변환부(301), 상기 반도체 층(102) 상에 형성되어 있으며, 상기 광전 변환부(301)의 동작을 제어하는 제어 트랜지스터(201), 및 상기 전하에 의해 발생되는 전압을 출력하는 소스 폴로워 트랜지스터(source follower transistor;202)를 포함하는 고체 촬상 센서(solid-state image sensor)에 있어서, 상기 광전 변환부(301)는 제1 도전형을 가지며 상기 제어 트랜지스터(201)의 게이트 전극으로 연장되며, 상기 소스 폴로워 트랜지스터(202)의 게이트 전극과 전기 접속되어 있는 제1 영역(106), 및 제1 도전형을 가지며 상기 제1 영역(106)에 인접하여 형성되어 있는 제2 영역(114)을 포함하는 고체 촬상 센서가 제공된다. 고체 촬상 센서는 광전 변환부의 기생 용량을 저감시키므로, 광전 변환 효율 및 감도가 향상될 수 있다.</p> |
