| 摘要 |
본 발명은 실온 정도의 낮은 온도에서 1 대기압 정도의 고압으로 실리콘의 전면상에 SiO막을 성장시키는 공정을 제공한다. 저온 산화는 플라즈마를 생성하기 위해 산화 가스와 함께 불활성 가스를 추가하고 RF 전력을 인가함으로써 산소 원자와 래디컬의 생성에 의해 가능하게 된다. 또한, 1 대기압 정도의 높은 압력으로 플라즈마를 생성하기 위해 불활성 가스와 함께 질소 함유 가스를 유동시키고 RF 전력을 인가함에 의해 실리콘 질화막을 제조하는 것이 가능하다. 또한, 전술한 공정은 플라즈마를 생성하기 위해 RF 전력 대신에 마이크로파를 사용하여 실시가 가능하다. |
