| 摘要 |
횡형 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(LMOSFET : lateral metal-oxide-semiconductor field effect transistor)는 p형 도전성을 갖는 실리콘 탄화물 반도체 재료층과, 실리콘 탄화물 반도체 재료층 내에 배열된 n형 도전성을 갖는 소스 및 드레인 영역과, 실리콘 탄화물 반도체 재료층 상에 배열되는 절연된 게이트 전극을 포함한다. n형 도전성을 갖는 실리콘 탄화물 반도체 기판은 실리콘 탄화물 반도체 재료층을 지지한다. p형 도전성을 갖는 제 2 실리콘 탄화물 반도체 재료층이 기판과 제 1 실리콘 탄화물 반도체층 사이에 배열되어 기생 트랜지스터 효과를 방지한다. n형 도전성을 갖는 싱커 영역이 소스 컨택트로부터 실리콘 탄화물 반도체 기판으로 확장하여 기판을 접지시킨다. |
