发明名称 ELECTRO STATIC DISCHARGE STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 <p>본 발명은 반도체 소자의 정전기 방지 구조에 있어서, 핀 리키지 페일이 발생한 부분을 확인할 수 있는 정전기 방지 구조에 관한 것이다. 본 발명은 메탈 공정에서 핀 리키지 페일이 발생한 부분을 확인할 수 있는 정전기 방지 구조에 있어서, 연결 수단을 이용하여 정전기 방지 회로 내의 트랜지스터를 패드에 각각 연결하고, 상기 연결 수단을 순차적으로 절단함으로써 핀 리키지 페일이 발생한 부분을 확인할 수 있는 정전기 방지 구조를 제시한다.</p>
申请公布号 KR100314278(B1) 申请公布日期 2001.11.15
申请号 KR19990061639 申请日期 1999.12.24
申请人 null, null 发明人 김윤남;정혁제
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人
主权项
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