发明名称 IONIZED PHYSICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND APPARATUS WITH MAGNETIC BUCKET AND CONCENTRIC PLASMA AND MATERIAL SOURCE
摘要 도전 금속 코팅 재료는, 마그네트론 스퍼터링 타겟(51)으로부터 스퍼터되고, 타겟(51)내의 개구(58)의 중심에서 실의 벽(32)내의 유전 윈도우 뒤의 진공실(31) 외측의 코일(65)로부터 결합된 RF 에너지를 가진 조밀한 플라즈마에 의해 처리 스페이스내에서 이온화된다. 실의 압력은 10-100 mTorr 범위내에 있다. 실의 벽(32) 뒤의 영구 자석(23)의 어레이(22)로 형성된 자기 버킷(20)은 플라즈마에서 실의 벽(32)으로 이동하는 전하 입자를 반발시키는 멀티-커스프 자계를 형성하고, 플라즈마 제한을 증가시켜, 플라즈마 밀도 및 균일도와 코팅 재료의 이온화 부분을 개선한다.
申请公布号 KR20010102141(A) 申请公布日期 2001.11.15
申请号 KR20017010326 申请日期 2001.08.14
申请人 发明人
分类号 C23C14/34;C23C14/35;H01L21/203 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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