发明名称 PAD METALLIZATION OVER ACTIVE CIRCUITRY
摘要 금속 본드 패드(110, 510, 610)를 신뢰성 있고 저렴한 방법으로 반도체 칩 내의 능동 회로 위에 형성한다. 본 발명의 실시예에 따르면, 금속 본드 패드(110)를 반도체 칩 내의 회로 위에 형성한다. 금속층(230)을 회로 및 금속 본드 패드(110) 위에 형성하고, 포토레지스트 마스크(340)를 금속층 위에 패터닝한다. 금속층(230)을 에칭하여 포토레지스트로 마스킹되지 않은 금속층의 일부를 제거한다. 이러한 방법으로, 부가적인 금속을 한 개의 부가적인 마스킹 단계만을 이용하여 패드 사이트 상에 형성할 수 있고, 패드 사이트에서 보다 두꺼운 금속은 후속의 배선 본딩 공정에서 유용한 패드에서의 금속 쿠션을 제공함으로써 칩의 신뢰성을 개선한다.
申请公布号 KR20010102317(A) 申请公布日期 2001.11.15
申请号 KR20017010671 申请日期 2001.08.22
申请人 发明人
分类号 H01L23/52;H01L21/3205;H01L21/60;H01L23/485 主分类号 H01L23/52
代理机构 代理人
主权项
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