| 发明名称 | 半导体发光器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层),将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法,提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件,其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体,然后将二者结合的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1322018A | 申请公布日期 | 2001.11.14 |
| 申请号 | CN01122064.3 | 申请日期 | 2001.03.09 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 菅原秀人;新田康一;阿部洋久;绀野邦明;出井康夫 |
| 分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、半导体发光器件，其特征为，它备有一个半导体发光元件，包含通过电流注入发射第一波长的光的有源区，至少一个半导体叠层体，包括结合到上述半导体发光元件上，利用上述第一波长的光激发并发射第二波长的光的发光层，上述第一波长的光与上述第二波长的光混合后输出。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||