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<p>본 발명의 불휘발성 반도체 메모리 장치는 메모리 셀 어레이, 블럭 어드레스 입력 회로 및, 블럭 선택 회로로 구성된다. 메모리 셀 어레이는 노멀 데이터를 저장하기 위한 복수개의 노멀 블럭들 및 본 발명의 반도체 메모리 장치가 사용되는 시스템의 초기화를 위한 부트 코드들을 저장하기 위한 복수개의 부트 블럭들을 구비한다. 또, 본 발명의 불휘발성 반도체 메모리 장치는 복수개의 부트 블럭 아키텍츄어 옵션들을 갖는다. 블럭 어드레스 입력 회로는 외부 블럭 어드레스를 받아들이고, 상기 복수개의 부트 블럭 아키텍츄어 옵션들 중 선택된 하나에 따라서 상기 외부 블럭 어드레스를 내부 블럭 어드레스로 변환한다. 또, 상기 블럭 어드레스 입력 회로는 한쌍의 단자들을 갖는 옵션 선택 수단을 구비한다. 블럭 선택 회로는 상기 내부 블럭 어드레스에 응답해서 메모리 셀 어레이의 블럭들 중 대응하는 하나를 선택한다. 부트 블럭 아키텍츄어 옵션들 중 하나의 선택은 옵션 선택 수단의 단자들의 전기적인 연결/비연결에 따라서 결정된다.</p> |
