发明名称 A FLASH MEMORY DEVICE
摘要 <p>본 발명에 따른 플래시 메모리 장치의 메모리 셀 어레이는 복수 개의 메모리 셀 어레이 블록들을 포함한다. 상기 각 메모리 셀 어레이 블록은 블록 디코더 및 복수 개의 메모리 셀 스트링들을 포함한다. 상기 각 메모리 셀 스트링은 제 1 및 제 2 그룹들의 메모리 셀들과 제 1 및 제 2 스트링 선택 트랜지스터들 그리고 접지 라인 선택 트랜지스터를 포함한다. 상기 각 메모리 셀 스트링의 제 1 및 제 2 그룹들의 메모리 셀들은 프로그램 동작 동안에 상기 제 1 및 제 2 스트링 선택 트랜지스터들의 턴-온 여부에 따라 그 영역 별로 각각 프로그램된다. 상기 각 메모리 셀 스트링이 상기 제 2 스트링 선택 트랜지스터에 의해 영역들이 구분되는 구조를 가짐으로써, 메모리 셀들이 소프트 프로그램되는 횟수가 줄어들고, 메모리 셀들의 소프트 프로그램 횟수가 줄어듦에 따라 플래시 메모리 장치의 오동작이 방지된다.</p>
申请公布号 KR100305030(B1) 申请公布日期 2001.11.14
申请号 KR19990024021 申请日期 1999.06.24
申请人 null, null 发明人 권석천
分类号 G11C16/04;G11C16/02;G11C16/24 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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