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发明名称
FERROELECTRIC MEMORY WITH FERROELECTRIC THIN FILM AND METHOD OF FABRICATION
摘要
申请公布号
KR20010101386(A)
申请公布日期
2001.11.14
申请号
KR1020017008536
申请日期
2001.07.04
申请人
发明人
分类号
H01L27/105
主分类号
H01L27/105
代理机构
代理人
主权项
地址
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