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다단계 CMP 시스템은 배리어층과 금속층이 형성되는 유전층에 유전층에 금속 상호접속부를 형성하기 위해 사용된다. 제 1 연마는 제 1 슬러리와 제 1 세트의 연마 파라미터를 이용하여 금속층의 상부를 제거하고, 유전층 내에 금속 상호접속부로서 기능하도록 잔류금속을 남긴다. 동일한 플래튼과 연마패드 상의 웨이퍼의 제 2 연마는 제 2 세트의 연마 파라미터 하에서 제 2 슬러리를 이용하여 배리어층의 부분들을 제거한다. 제 2 연마는 유전층의 상면으로부터 배리어층을 제거하여 금속 상호접속부를 형성한다. 디슁과 유전부식을 감축시키기 위해 제 2 슬러리가 선택되므로 배리어층은 유전층내의 잔류금속보다 빠른 속도로 제거된다. 클리닝 단계는 제 1 연마와 제 2 연마 사이에서 선택적으로 실행된다. 더욱이, 제 1 연마는 소프트랜딩 단계를 포함하여 디슁과 유전부식을 더 감축시킨다. 이와 다르게 제 1 연마는 금속 상호접속부로서 기능하도록 유전층내에 잔류 금속을 남기면서 금속층과 배리어층의 부분들을 제거하기 위해 사용될 수 있다. 유전 슬러리를 이용하는 제 2 연마는 마이크로스크래치를 감축시키기 위해 실행된다. |
