发明名称 PLATING METHOD WIRING FORMING METHOD AND DEVICES THEREFOR
摘要 본 발명은 예를 들면 반도체기판의 표면에 설치한 도체 매립용의 미세한 오목부내에 도금용의 밑바탕막을 형성하는 데 사용되는 도금방법 및 이 밑바탕막을 사용하여 배선을 형성하는 데 사용되는 배선형성방법에 관한 것으로, 비수계 유기용매 중에서 유기금속화합물을 환원함으로써 기재 표면에 금속도금을 실시하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 특히 수계 무전해도금에 상당하는 사용상 편리함을 가지고 예를 들면 도체 매립용의 미세한 오목부 등을 가지는 기판의 표면에 결함이 없는 건전한 금속도금을 실시할 수 있고, 또한 미세한 오목부에 결함이 없는 건전한 도전체로 이루어지는 매립배선을 형성할 수 있다.
申请公布号 KR20010101292(A) 申请公布日期 2001.11.14
申请号 KR20017007643 申请日期 2001.06.18
申请人 发明人
分类号 C23C18/06;C23C18/08;C23C18/16;H01L21/00;H01L21/288;H01L21/768;H01L23/532 主分类号 C23C18/06
代理机构 代理人
主权项
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