| 发明名称 | 氮化镓化合物半导体制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓化合物半导体制造方法,系先用扩散法将铍离子扩散至氮化镓空穴层内,即可增加空穴迁移率,在后续制造过程再加上电极,即可形成具有低阻抗欧姆接触层的电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1322017A | 申请公布日期 | 2001.11.14 |
| 申请号 | CN00106264.6 | 申请日期 | 2000.04.29 |
| 申请人 | 华上光电股份有限公司 | 发明人 | 宋盈彻;刘文明 |
| 分类号 | H01L33/00;H05B33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人 | 李强;潘培坤 |
| 主权项 | 1、一种氮化镓化合物半导体制造方法，该方法在一基板上成长至少一P型氮化镓层，以及在此P型氮化镓层形成一电极层，此电极层由下列步骤形成：在P型氮化镓层上镀上一层铍金属或其合金；进行扩散步骤，将铍金属或其合金扩散到该P型氮化镓层内；然后再将表面清除干净；把金属蒸镀到此干净的P型氮化镓层上，再进行高温处理。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||