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<p>제1식각가스의 플라스마를 발생시켜 식각 대상 박막 상부의 산화막을 제거하고, 식각챔버 내에 일정 방향의 자기장을 인가하면서 플라스마를 발생시키는 고주파 전원을 단계적으로 낮춘 후 식각챔버 내의 기체를 배기한다. 제2식각가스의 플라스마를 발생시켜 식각 대상 박막을 식각하고, 제3식각가스의 플라스마를 발생시켜 식각 대상 박막을 추가로 과도 식각한다. 고주파 전원을 오프하고 식각챔버 내의 기체를 배기시킨다. 이렇게 하면, 플라스마 식각 공정에서 발생하는 오염입자가 웨이퍼에 흡착되는 것을 방지하면서 효과적으로 배기시킬 수 있다.</p> |
