| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 디바이스의 CMP 공정용 금속산화물 슬러리의 제조방법에 관한 것으로, 특히 유체를 고압가속시켜 오리피스에서 분산시키는 방법에 있어서, 고압 펌프를 2대 사용하여 분산쳄버내의 압력을 일정하게 유지시켜줌으로써 μ-스크래치 발생의 주원인이 되는 거대입자(입경 1㎛ 이상)의 발생을 억제 또는 최소화할 수 있는 금속 산화물 슬러리의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의하면 입자 분포가 좁고 균일하며 연마 표면에 μ-스크래치를 일으키는 1㎛ 이상의 거대입자를 거의 포함하지 않는 고순도의 금속산화물 슬러리를 수득할 수 있다.</p> |
