发明名称 结构改进的功率二极管
摘要 一种结构改进的功率二极管,主要包括有连接于散热基座的两组晶片,该两组晶片上方设一铜导片导接连通,该铜导片上连接一端子座,其特征是该两组晶片间与散热基座、铜导片间是焊固抵触一导热性佳的陶瓷板体,该铜导片受陶瓷板体支撑,该端子座锁付作业产生的正向应力及侧向扭力集中传导于陶瓷板体而抵销于散热基座上,使晶片焊结处不会受外力而影响定位性,其产生的热能直接传导于陶瓷板体上,使晶片具有避免直接承担极高热能的特性。
申请公布号 CN2459758Y 申请公布日期 2001.11.14
申请号 CN00265717.1 申请日期 2000.12.21
申请人 林金锋 发明人 林金锋
分类号 H01L29/861 主分类号 H01L29/861
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱黎光;张占榜
主权项 1、一种结构改进的功率二极管,主要是实施于双组功率二极管结构上,主要包括有组立连接于散热基座上的两组晶片,该两组晶片上方设有一铜导片导接连通,该晶片组立介于散热基座与铜导片之间,其上下连接面各焊接有钼片,该铜导片上组立连接一端子座,该端子座上螺接有以固接定位供传输电流的端子线的铜螺丝,并于端子座下方罩盖树脂绝缘体予以隔离,其特征在于:该两组晶片间与散热基座、铜导片之间是焊固抵触一导热性佳的使整体结构更趋于稳固定位连接的陶瓷板体。
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