| 发明名称 | 磁复录方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在将具有记录了磁记录情报磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触,将磁复录用主载体的磁记录情报复录到从属介质上的磁复录方法中,是沿着磁道方向,预先使从属介质进行初期直流磁化,作为磁复录用主载体,使用饱和磁化Ms和磁性层厚δ之积Ms·δ定在0.025T·μm(20G·μm)以上,2.3T·μm(1830G·μm)以下的磁性材料,和初期直流磁化的从属介质紧密接触,沿着和从属面的初期直流磁化方向相反方向施加复录用磁场,进行磁复录的磁复录方法。本发明可以提高复录信号的品位,复录磁场强度区域宽。 | ||
| 申请公布号 | CN1321970A | 申请公布日期 | 2001.11.14 |
| 申请号 | CN01110262.4 | 申请日期 | 2001.04.03 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社 | 发明人 | 西川正一 |
| 分类号 | G11B5/86;G11B5/84 | 主分类号 | G11B5/86 |
| 代理机构 | 北京市专利事务所 | 代理人 | 徐宁 |
| 主权项 | 1、一种磁复录方法，特征是在磁记录介质上进行磁复录方法中，磁复录用主载体的磁性材料，饱和磁化(Ms)和磁性层厚之积(Ms·δ)，最好在定在0.25T·μm(20G·μm)以上，2.3T·μm(1830G·μm)以下。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||