用于拉晶设备的连续氧化方法

摘要

公开了一种连续氧化方法及使用该方法的设备。半导体晶体生长期间,将含氧气体在排气烟道中在热区的下游连续注入拉晶设备,以便连续氧化在晶体生长期间在热区产生的次化学计量二氧化硅、硅蒸汽和一氧化硅,以便减少或消除由于暴露于大气造成的设备内迅速过压的可能性。

主权项

1.一种通过连续氧化在由直拉法在拉晶设备中生产硅晶碇期间产生的含硅化合物以减少拉晶设备中次化学计量二氧化硅量的方法，该方法包括：在晶碇生长期间，向设备中热区之上，连续注入氩气流，使氩气流在设备中向下流过热区，并进入排气烟道，并通过处于设备中排气烟道中相对于氩气流的流动方向从热区的下游位置的入口，连续注入含氧气体，以便连续氧化在晶碇生长期间产生的一氧化硅、硅蒸汽、次化学计量的二氧化硅。