| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够防止异常等离子体的发生、可稳定地实施均匀的等离子体处理的等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备:处理室(1、2);微波发射构件(5);以及反应气体供给装置(14、15、21、22),反应气体供给装置包含反应气体供给路(15),该供给路具有在微波发射构件的另一壁面和处理室内壁面的一部之间形成的空间,还具备防微波透射构件(16),该防微波透射构件被配置在微波发射构件的另一壁面上的面对反应气体供给路的区域上。 | ||
| 申请公布号 | CN1322007A | 申请公布日期 | 2001.11.14 |
| 申请号 | CN01120789.2 | 申请日期 | 2001.03.21 |
| 申请人 | 夏普公司;大见忠弘 | 发明人 | 钟筑律夫;田寺孝光;山本达志;平山昌树;大见忠弘 |
| 分类号 | H01L21/205;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种等离子体处理装置，其特征在于：具备：处理室，具有内壁面，在内部进行使用了等离子体的处理；微波发射构件，具有面朝上述处理室内部的一个壁面和位于与该壁面相反侧上、对着上述处理室内壁面的另一壁面，配置该构件使得在该另一壁面和上述处理室的内壁面的一部之间形成一空间，该构件向上述处理室内部传输、发射微波；以及反应气体供给装置，向上述处理室内部供给被上述微波制成等离子体状态的反应气体，上述反应气体供给装置包含反应气体供给路，该供给路具有在上述微波发射构件的另一壁面和上述处理室内壁面的一部之间形成的空间，还具备防微波透射构件，被配置在上述微波发射构件的另一壁面上的面对上述反应气体供给路的区域上。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||