| 摘要 |
一种MRAM存储器,它具有:一包括磁致电阻存储器元件(6a,6b)的存储器单元阵列(2),上述磁致电阻存储器元件设置在半导体衬底上(4)的至少一个存储器单元层中;字线(7)和位线(8,9),用于与存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a,6b)相连接,和一驱动逻辑装置(5a,5b,5c),用于通过字线和位线(7,8,9)驱动存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a,6b),该驱动逻辑装置(5a,5b,5c)集成在半导体衬底(4)中和其上的存储器单元阵列(2)的下面。 |
| 主权项 |
1．一种MRAM存储器，它具有：(a)一包括磁致电阻存储器元件(6a,6b)的存储器单元阵列(2)，上述磁致电阻存储器元件设置在半导体衬底上(4)的至少一个存储器单元层中，(b)字线(7)和位线(8,9)，用于与存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a,6b)相连接，和(c)一驱动逻辑装置(5a,5b,5c)，用于通过位线和字线(7,8,9)驱动存储器单元阵列(2)中的磁致电阻存储器元件(6a,6b)，该驱动逻辑装置(5a,5b,5c)集成在半导体衬底(4)中和其上的存储器单元阵列(2)的下面。 |
