| 主权项 |
1.一种共享接触式金属内连线的制造方法,包括:提供一基底,该基底上有一隔离结构;于该基底上形成一闸介电层;于该闸介电层上形成一多晶矽闸极,该多晶矽闸极主要位于该隔离结构上,并有部分该多晶矽闸极位于该基底上;进行一浅掺杂植入步骤,于该多晶矽闸极侧边之该基底内形成一浅掺杂源/汲极;于该多晶矽闸极侧壁形一间隙壁;进行一重掺杂植入步骤,于该间隙壁侧边之该基底内形成一重掺杂源/汲极;去除位于该浅掺杂源/汲极上之部分的该间隙壁;以及于该多晶矽闸极暴露出之表面与该浅掺杂源/汲极之表面形成一选择性金属层,以作为该共享接触式金属内连线。2.如申请专利范围第1项所述之共享接触式金属内连线的制造方法,其中形成该选择性金属层的方法包括化学气相沉积法。3.如申请专利范围第1项所述之共享接触式金属内连线的制造方法,其中该选择性金属层的材质包括选择性钨。4.如申请专利范围第1项所述之共享接触式金属内连线的制造方法,其中该选择性金属层的材质包括金属铝。5.如申请专利范围第1项所述之共享接触式金属内连线的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。6.如申请专利范围第1项所述之共享接触式金属内连线的制造方法,其中形成该间隙壁之前更包括于该多晶矽闸极侧壁与该基底上形成一氧化矽缓冲层的步骤,且去除位于该浅掺杂源/汲极上之部分的该间隙壁之后更包括去除暴露出之该氧化矽缓冲层的步骤。7.一种金属内连线的制造方法,包括:提供一基底,该基底上有复数个隔离结构;于该基底上形成一闸介电层;于该闸介电层上形成一多晶矽闸极;进行一浅掺杂植入步骤,于该多晶矽闸极两侧之该基底内形成一浅掺杂源/汲极;于该多晶矽闸极侧壁形成一间隙壁;进行一重掺杂植入步骤,于该间隙壁两侧之该基底内形成一重掺杂源/汲极;去除位于该多晶矽闸极之一第一侧之部分的该间隙壁;以及于该多晶矽闸极暴露出之表面与该第一侧之该浅掺杂源/汲极的表面形成一选择性金属层,作为金属内连线。8.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中形成该选择性金属层的方法包括化学气相沉积法。9.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中该选择性金属层的材质包括选择性钨。10.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中该选择性金属层的材质包括金属铝。11.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氮化矽。12.如申请专利范围第7项所述之金属内连线的制造方法,其中形成该间隙壁之前更包括于该多晶矽闸极侧壁与该基底上形成一氧化矽保护层的步骤,且去除位于该第一侧之部分的该间隙壁之后更包括去除暴露出之该氧化矽缓冲层的步骤。图式简单说明:第一图是习知一种共享接触式金属内连线的示意图;第二图A至第二图D是依照本发明一较佳实施例一种式接触金属内连线的制作流程示意图;以及第三图是依照本发明一较佳实施例一种共享接触式金属内连线的剖面示意图。 |
