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1.一种藉由电浆蚀刻于半导体基板(10)内制造用于DRAM半导体记忆体之储存或沟渠电容器的沟渠(13)之方法,其特征是在某一电浆蚀刻步骤中藉由将各向同性与各向异性蚀刻成分之间设定具有预定比例而制造了一个其截面轮廓会从基本的定常截面轮廓朝较大的截面轮廓偏离的局部沟渠区域(13-1),其特征是使其表面钝化,且其特征是周期性地将这些程序连续重复K次以便进一步制造出与该第一局部沟渠区城(13-1)相邻的局部沟渠区域(13-2,…,13-K),直到达成预定的整体沟渠深度为止,其中K代表的是一个预定的整数。2.如申请专利范围第1项之方法,其中使其截面轮廓会从基本的定常截面轮廓偏离的方式制造出一个呈外凸的截面轮廓。3.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由预定的处理参数设定出电浆蚀刻步骤中各向同性与各向异性蚀刻成分之间的比例。4.如申请专利范围第2项之方法,其中藉由预定的处理参数设定出电浆蚀刻步骤中各向同性与各向异性蚀刻成分之间的比例。5.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中为了设定各向同性与各向异性蚀刻成分之间的比例而将无线电频率的功能、压力、磁场强度、及/或处理气体之类设定为该蚀刻方法的处理参数。6.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中以NF3.XeF3.和SF6等当作蚀刻气体。7.如申请专利范围第5项之方法,其中以NF3.XeF3.和SF6等当作蚀刻气体。8.如申请专利范围第1至4项中任一项之方法,其中对各局部沟渠区域(13-2,…,13-K)的钝化作用系藉由能于电浆中形成聚合物之气体的电浆聚合作用而施行的。9.如申请专利范围第8项之方法,其中以化学式为CnH2n+2的气体当作聚合物形成气体。10.如申请专利范围第9项之方法,其中以CH4当作聚合物形成气体。11.如申请专利范围第8项之方法,其中化学式为CnH2n的气体当作聚合物形成气体。12.如申请专利范围第8项之方法,其中以CHF3.C2F6.或C4F8等当作聚合物形成气体。13.如申请专利范围第8项之方法,其中在完成周期性的蚀刻/钝化处理之后,依热学方式成长一个氧化物且随后再以湿蚀刻或各向同性的乾蚀刻将之蚀刻掉。14.如申请专利范围第9项之方法,其中在完成周期性的蚀刻/钝化处理之后,依热学方式成长一个氧化物且随后再以湿蚀刻或各向同性的乾蚀刻将之蚀刻掉。15.如申请专利范围第8项之方法,其中该各向同性蚀刻方法是以一种湿蚀刻施行的。16.如申请专利范围第9项之方法,其中该各向同性蚀刻方法是以一种湿蚀刻施行的。17.如申请专利范围第8项之方法,其中该各向同性蚀刻方法是以一种乾蚀刻施行的。18.如申请专利范围第9项之方法,其中该各向同性蚀刻方法是以一种乾蚀刻施行的。图式简单说明:第一图简略地显示了一种根据本发明制造而用于DRAM半导体记忆体之储存电容器的沟渠结构。 |
