| 主权项 |
1.一种晶圆级的覆晶凸块制造方法,主要是使整个晶圆上生成的凸块,可以经本发明所建议的化学机械抛光(CMP)或机械抛光方法及装置而得到精确的高度,其高度差,以8寸晶圆而言,可在1m以内,其主要步骤如下:-在完成积体电路的晶圆上之电路侧涂布光阻,并用光罩及微影,设置开口,形成接触垫和电路相接触,利用电镀或印刷于光阻开口的上面部份,软焊接触“凸块"(由合金如锡/铅等制成),电镀时,以整个晶圆而言,很难保证凸块高度相同;-利用机械抛光及/或简易型化学机械抛光制程来达到凸块相同高度的;-抛光后,去除光阻,此时晶圆上所有的凸块皆可得到几乎相同的高度;-光阻去除后,凸块经过预流(preflow)使之有稍微平均的轮廓。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆级的覆晶凸块制造方法,其中所用的装置是属于化学机械抛光(CMP)机或机械抛光机的一种,但其构造可较为简单,精度也不必与铜CMP所用的机种一样高,成本也可较低廉。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆级的覆晶凸块制造方法,其中覆晶凸块可以适合于常用的材料如铅锡合金、铅铟合金,或金、或其它锡基无铅合金,如锡锌合金、锡铜合金、锡银铜合金、锡银合金等。图式简单说明:第一图为电镀或印刷形成的凸块的示意图。第二图,第三图和第四图为在一个覆晶电路上或凸块连接的制程方面依序步骤的示意图;第五图为覆晶与基板相互给合之示意图。第六图为化学机械抛光(CMP)制程示意图。 |
