| 主权项 |
1.一种半导体装置制程中之光近接效应修正方法,包含下列步骤:标出一第一区域,该第一区域系由一第一阶遮罩之一第一遮罩图案所具体指明;从一第二阶遮罩之一第二遮罩图案中发现一第二层之至少一角隅部,当垂直观看该二个遮罩时,该至少一角隅部属于该第一区域;定位一第二区域,用以环绕该角隅部;以及藉由附加该第二区域于该第一区域上,修正该第一遮罩图案,以形成一修正的第一遮罩图案于该第一阶遮罩中。2.如申请专利范围第1项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中该第一层系一第一电连接层,且该第二层系一第二电连接层。3.如申请专利范围第2项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中该第一电连接层系一插塞层,且该第二电连接层系一交互连接层。4.如申请专利范围第2项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中该第一电连接层系一插塞层,且该第二电连接层系一闸极层。5.如申请专利范围第1项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中该第一周缘区域系一环绕整个第一层之圆形区域。6.如申请专利范围第1项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中当复数个角隅部存在于该第二层之一末端时,该第二周缘区域系形成为对应于各个角隅部之复数个区域。7.如申请专利范围第1项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中当复数个角隅部存在于该第二层之一末端时,该第二周缘区域系形成为一环绕该复数个角隅部之单一区域。8.如申请专利范围第1项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中该第二周缘区域包括一较短边额外区域,平行于该第二层之一较短终端边,以及一较长边额外区域,邻近于该较短终端边,且该较短边额外区域之一突出“d"不同于该较长边额外区域之一突出“a"。9.如申请专利范围第8项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中该突出“d"小于该突出“a"。10.如申请专利范围第9项之半导体装置制程中之光近接效应修正方法,其中当复数个角隅部存在于该第二层之一末端时,该第二周缘区域系形成为一环绕该复数个角隅部之单一区域。图式简单说明:第一图系显示半导体装置制程中之习知的光近接效应修正方法之顶面平视图。第二图系显示图案布局之顶面平视图,第一图之方法得应用于图案布局。第三图系显示半导体装置制程中之另一习知的光近接效应修正方法之顶面平视图。第四图系显示依据本发明第一实施例之半导体装置制程中之光近接效应修正方法之顶面平视图。第五图系显示依据本发明第二实施例之顶面平视图。第六图系显示图案布局之顶面平视图,第二实施例之方法得应用于该图案布局。第七图系显示依据本发明第三实施例之顶面平视图。第八图系显示依据本发明第四实施例之顶面平视图。第九图系显示依据本发明第五实施例之顶面平视图。 |
