发明名称 曝光方法,曝光装置,光罩保护膜及光罩保护膜的翘曲缓和方法
摘要 本发明系可提高使用光罩保护膜之光刻微影成像术( photolithography)之解析度。本发明之解决手段,系曝光时,可调整确保光罩保护膜ll之光罩保护膜面与光罩面之平行度。其特征为具有:在曝光装置具有光罩保持部8、与光罩保护膜保持部9或光罩保护膜支持部。作为其他方法,于作为光刻微影成像术用之光罩保护膜使用玻璃板之光罩保护膜,预先在玻璃板形成翘曲,使该玻璃板之凸面变成位于上边张贴于光罩保护膜框。或将载置玻璃板之光罩保护膜框预先加以变形之状态下将玻璃板张贴于光罩保护膜框,因光罩保护膜框之复原力之应力对于玻璃板给与张力所成之光罩保护膜,或减压由玻璃板与光罩保护膜框所成之光罩保护膜与光罩(photo mask)所围住之空间所成之光罩保护膜。
申请公布号 TW463073 申请公布日期 2001.11.11
申请号 TW089126612 申请日期 2000.12.13
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 白崎享
分类号 G03F1/00 主分类号 G03F1/00
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种曝光方法,其系使用保护膜之光刻微影成像术者,其特征为:于曝光时,可确保调整保护膜之保护膜面与光罩面之平行度。2.一种曝光装置,其系使用保护膜之光刻微影成像术者,其特征为:具有光罩保持部、与保护膜保持部。3.一种曝光装置,其系使用薄膜之光刻微影成像术者,其特征为:具有光罩保持部、与保护膜支持部,该保护膜支持部成为将保护膜面对于光罩面成为平行地调整之构造。4.一种保护膜,其系使用于光刻微影成像术之保护膜,其特征为:厚板所成之保护膜使其从框架向外侧溢出,将可溢出部分得以保持于申请专利范围第2项之曝光装置之保护膜保持部所保持之被保持部。5.一种光刻微影成术用保护膜,其系作为光刻微影成像术用保护膜之保护膜使用坡璃板者,其特征为:在玻璃板预先形成翘曲张贴,于保护膜框架使该玻璃板之凸面朝向上方。6.一种光刻微影成术用保护膜,其系作为光刻微影成像术用之保护膜之保护膜使用玻璃板者,其特征为:预先在玻璃板形成翘曲,将载置玻璃板之保护膜框架预先变形之状态下,将玻璃板张贴于保护膜框架,以保护膜框力之复原力给张力于玻璃板所成者。7.一种光刻微影成术用保护膜,其系作为光刻微影成像术用之保护膜之保护膜使用玻璃板者,其特征为:减压由玻璃板与保护膜框架所成之薄膜与光掩膜所围住之空间所成者。8.一种保护膜之翘曲缓和方法,其系作为保护膜使用玻璃板之光刻微影成像术者,其特征为:作为上述保护膜之玻璃板形成翘曲,藉在保护膜框架张贴接着剂使形成翘曲之玻璃板之凸面位于上方。9.一种保护膜之翘曲缓和方法,其系作为保护膜使用玻璃板之光刻微影成像术用保护膜者,其特征为:将载置作为上述保护膜之玻璃板之保护膜框架预先变形之状态下将玻璃板使用接着剂张贴保护膜框架,藉由保护膜之框架之复原力之应力给与玻璃板张力,由于玻璃板之自重以缓和向外下方之翘曲。10.如申请专利范围第9项之保护膜之翘曲缓和方法,其中上述保护膜框架之变形、复原方法为以机械式方法式温度差方法。11.一种保护膜之翘曲缓和方法,其系作为保护膜使用坡璃板之光刻微影成像术用保护膜者,其特征为:将作为保护膜之玻璃板与保护膜框架所成之保护膜在减压下张贴于光掩膜,藉使用张贴保护膜之光掩膜时配置成保护膜位于下方,以缓和由玻璃板之自重之向下方之翘曲。图式简单说明:第一图系表示张贴于习知光掩膜之薄膜之构成例之概略图。第二图系表示本发明之实施例1之态样之说明图。第三图系表示本发明之实施例2之态样之说明图。第四图系表示本发明之实施例3之态样之说明图。第五图系表示本发明之实施例4之态样之说明图。第六图系表示本发明之薄膜之概念图。(A)将保护膜张贴于框架时,(B)使用时。
地址 日本