在半导体制程中形成植子的方法

摘要

本发明提供一使用投射式气体浸洗雷射掺杂(PGILD)制造而克服先前技艺缺点以形成植子的新颖方法。特别的是，在使用PGILD雷射之前，这较佳的方法在元件某区域上使用一反射镀层。这反射镀层降低了这区域的热吸收量，改善了制造过程的可信度。这较佳方法特别适用在场效电晶体(FETs)之制造中。在这应用中，一闸极堆被形成，并且在闸极堆上有一反射镀层。然后，一反射镀层上覆盖一抗反射镀层(ARC)。抗反射镀层减少了在闸极堆上形成图样之微影制造的变化性。在闸极堆叠形成图样后，抗反射镀层被移除并在闸极堆上留下反射镀层。然后 PGILD制造可被使用在电晶体上形成汲极/源极掺杂区。反射镀层降低了闸极堆所吸收之热量，因此提供一改良之制作电晶体的方法。

主权项

1.一种在基板上植入的方法,该方法至少包含下列步骤:a)在基板之一部分上形成反射层;b)使用雷射诱导掺杂在没有反射层覆盖的基板之一部分上形成植入。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述在基板之一部分上形成反射层之步骤包括:i)在基板上沈积反射层;ii)在反射层和基板上形成图样以移除反射层之一部分和基板之一部分。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述反射镀层包括一氮化矽层和一二氧化矽层,有一选择的相对厚度能反射先前决定的光波长。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述反射镀层包括一层30nm厚的氮化矽层和一层80nm厚的二氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述基板包括在半导体晶圆上的闸极堆,而其中上述在基板之一部分上形成反射镀层的步骤包括:i)在闸极堆层上形成反射镀层;和ii)在闸极堆层上形成图样以形成至少一个闸极。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之闸极堆层包括多晶矽。7.如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述在闸极堆层上形成图样之步骤包括:a)在反射镀层上形成抗反射镀层;b)沈积并形成图样于抗蚀层上;及c)使用以形成图样的抗蚀层于闸极堆层上形成图样。8.如申请专利范围第7项所述之方法,更包括了从形成图样闸极堆层上移除反射镀层而于闸极堆上留下反射层之步骤。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中上述反射镀层是由一有机旋涂镀层所组成。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述雷射掺杂包括在一周围为BF3气体P型投射式气体雷射浸入掺杂。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述雷射掺杂包括在一周围为AsF5气体N型投射式气体雷射浸入掺杂。12.一种形成电晶体之之方法,该方法包括下列步骤:a)在一基板上形成闸极堆层;b)在闸极堆层形成反射镀层;c)在闸极堆层上形成图样;及d)藉着使用雷射穿过一包含掺杂气体来曝光一基板以于基板上形成源极/汲极掺杂。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之反射镀层包括一氮化矽层和一二氧化矽层,具拥有一选择性厚度能反射一预先决定波长之光波。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之反射镀层包括一30nm厚的氮化矽层和一80nm厚的二氧化矽层。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之闸极堆层是由多晶矽所组成。16.如申请专利范围第12项所述之方法,更包括于闸极堆层上形成图样之前先于反射度层上形成一抗反射镀层之步骤。17.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之反射度层是由有机旋涂镀层所组成。18.如申请专利范围第12项所述之方法,更包括于步骤,在形成图样之闸极堆层侧壁上形成侧壁间隔物之步骤。19.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之周围气体包括AsF5周围气体。20.如申请专利范围第12项所述之方法,其中上述之周围气体包括BF3周围气体。21.一种在一基板上形成电晶体之方法,包括下列步骤:a)在一基板上形成闸极堆层;b)在闸极堆层形成反射镀层;c)在反射镀层上形成抗反射镀层;d)在闸极堆层上形成图样以界定至少一电晶体闸极;e)从闸极堆层移除抗反射镀层;及f)使用PGILD形成源极/汲极植入。图式简单说明:第一图为一有关这较佳的具体实施例方法的流程图;及第二图-第五图为相关这较佳具体贫施例的不同制造阶段之晶片部分横剖面图。