| 主权项 |
1.一种形成隔离沟槽之方法,包括:提供一半导体基底;形成一第一绝缘层于上述半导体基底上;形成一岛状绝缘层于上述第一绝缘层之上;去除位于上述岛状绝缘层两侧之上述第一绝缘层,并挖空上述岛状绝缘层边缘附近下方之上述第一绝缘层,而留下部分上述第一绝缘层于上述岛状绝缘层之下方,藉此,形成切口区于残留之上述第一绝缘的层两侧、及上述岛状绝缘层边缘附近之下方;形成第二绝缘层于上述半导体基底上,并且填入上述切口区内;蚀刻上述第二绝缘层,以形成绝缘边衬于上述岛状绝缘层之两侧,并露出上述半导体基底;形成绝缘区于上述绝缘边衬两侧及上述半导体基底上;去除上述绝缘边衬及上述岛状绝缘层,以露出上述第一绝缘层、和上述第一绝缘层与上述绝缘区间两者之上述半导体基底;以及以上第一绝缘层与上述绝缘区为遮罩,蚀刻上述半导体基底,而形成沟槽区于上述半导体基底中。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,形成上述岛状绝缘层,包括如下步骤:形成一第三绝缘层于上述第一绝缘层上;定义蚀刻上述第二绝缘层,而形成上述岛状绝缘层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,上述第一绝缘层为垫氧化层;上述第二、三绝缘层均为氮化矽层;上述绝缘区为场氧化层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,去除上述绝缘边衬及上述岛状绝缘层系使用湿式蚀刻法进行。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中,上述场氧化层系对上述半导体基底进行选择性氧化而得。6.如申请专利范围第1项所述之方法,更包括形成一第四绝缘层填入上述沟槽区内,以构成上述隔离沟槽。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中,上述第四绝缘层系为氧化层。8.一种形成隔离沟槽之方法,包括:提供一半导体基底;形成一第一绝缘层于上述半导体基底上;形成一岛状绝缘层于上述第一绝缘层之上;去除位于上述岛状绝缘层两侧之上述第一绝缘层,并挖空上述岛状绝缘层边缘附近下方之上述第一绝缘层,而留下部分上述第一绝缘层上述岛状绝缘层之下方,藉此,形成切口区于残留之上述第一绝缘的层两侧、及上述岛状绝缘层边缘附近之下方;形成第二绝缘层于上述半导体基底上,并且填入上述切口区内;蚀刻上述第二绝缘层,以形成绝缘边衬于上述岛状缘层之两侧,并露出上述半导体基底;形成绝缘区于上述绝缘边衬两侧及上述半导体基底上;进行蚀刻程序,以去除上述绝缘边衬及上述岛状绝缘层,并形成沟槽区于上述第一绝缘层与上述绝缘区两者间之上述半导体基底中。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,形成上述岛状绝缘层,包括如下步骤:形成一第三绝缘层于上述第一绝缘层上;定义蚀刻上述第二绝缘层,而形成上述岛状绝缘层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中,上述第一绝缘层为垫氧化层;上述第二、三绝缘层均为氮化矽层;上述绝缘区为场氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,上述场氧化层系对上述半导体基底进行选择性氧化而得。12.如申请专利范围第8项所述之方法,更包括形成一第四绝缘层填入上述沟槽区内,以构成上述隔离沟槽。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中,上述第四绝缘层系为氧化层。图式简单说明:第一图至第八图显示依据本发明方法实施例之流程剖面图。 |
