| 主权项 |
1.一种在材料层上形成氧化物之方法,其包含:将氟植入该材料层中;及热处理该材料层以形成氧化物层。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中藉离子植入将该氟植入。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该氟以约11011个原子/平方公方至约51016个原子/平方公分之量植入。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中该氟以约51012个原子/平方公分至约71015个原子/平方公分之量植入。5.根据申请专利范围第2项之方法,其中该氟以约1 KeV至约1 MeV之能量植入该材料层中。6.根据申请专利范围第2项之方法,其中该氟以约10 KeV至约50 KeV之能量植入该材料层中。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该材料层为矽基材。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该热氧化为乾或湿周围制程。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该材料层之不同区域植入不同量之氟以形成具有不同厚度之氧化物层。10.一种在基材上选择性地形成氧化物之方法,其包含:提供其上具有图案层之基材;经该图案层之开放区域将氟植入该基材中;去除该图案层;及热处理该基材以形成氧化物层。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中藉离子植入将该氟植入。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中该氟以约11011个原子/平方公分至约51016个原子/平方公分的量植入。13.根据申请专利范围第11项之方法,其中该氟以约51012个原子/平方公分至约71015个原子/平方公分之量植入。14.根据申请专利范围第11项之方法,其中该氟以约1 KeV至约1 KeV之能量植入该基材中。15.根据申请专利范围第11项之方法,其中该氟以约10 KeV至约50 KeV之能植入该基材中。16.根据申请专利范围第10项之方法,其中该基材为矽基材。17.根据申请专利范围第10项之方法,其中该热氧化为乾或湿周围制程。18.根据申请专利范围第10项之方法,其中该热氧化为隔离区域。19.根据申请专利范围第10项之方法,其中该热氧化为闸极氧化物层。20.根据申请专利范围第10项之方法,其中该基材之不同区域植入不同量之氟以形成具有不同厚度之氧化物层。21.一种在基材上形成隔离区域及至少一个闸极氧化物层之方法,其包含:提供其上具有第一图案层之基材;经该图案层之开放区域将氟植入该基材中;去除该图案层;热处理该基材以形成隔离区域;及热处理该基材以形成至少一个闸极氧化物层。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中藉离子植入将该氟植入。23.根据申请专利范围第22项之方法,其中该氟以约11011个原子/平方公分至约51016个原子/平方公分之量植入。24.根据申请专利范围第22项之方法,其中该氟以约51012个原子/平方公分至约71015个原子/平方公分之量植入。25.根据申请专利范围第22项之方法,其中该氟以约1 KeV至约1 KeV之能量植入该基材中。26.根据申请专利范围第22项之方法,其中该氟以约10 KeV至约50KeV能量植入该基材中。27.根据申请专利范围第21项之方法,其中该基材为矽基材。28.根据申请专利范围第21项之方法,其进一步包含:在形成该隔离区域后在该基材上提供第二图案层;将氟植入该基材中;及形成该至少一个闸极氧化物层。29.根据申请专利范围第28项之方法,其中该氟以约51012个原子/平方公分至约71015个原子/平方公分之量植入。30.根据申请专利范围第29项之方法,其中该氟以约10 KeV至约50 KeV之能量植入该基材中。31.根据申请专利范围第29项之方法,其中该至少一个闸极氧化物层包括具有不同厚度之闸极氧化物层,其中该闸极氧化物层植入不同含量之氟。32.根据申请专利范围第21项之方法,其中该至少一个闸极氧化物层包括具有不同厚度之闸极氧化物层,其中该闸极氧化物层植入不同含量之氟。33.根据申请专利范围第21项之方法,其中该热氧化为乾或湿周围制程。34.根据申请专利范围第21项之方法,其中该方法包括首先热处理该基材以形成该隔离区域,继而处理该基材以形成该闸极氧化物层。35.一种在基材上形成隔离区域及闸极氧化物层之方法,其包含:提供其上具有第一图案层之基材;经该第一图案层中之开口将氟植入该基材中;去除该第一图案层;在该基材上形成第二图案层;经该第二图案层中之开口将氟植入该基材中;去除该第二图案层;及热处理该基材以在至少植入氟在该基材区域使隔离区域及闸极氧化物层同时生长。36.根据申请专利范围第35项之方法,其中该第一图案层形成该隔离区域。37.根据申请专利范围第35项之方法,其中藉离子植入将该氟植入。38.根据申请专利范围第37项之方法,其中该氟以约11011个原子/平方公分至约51016个原子/平方公分之量植入。39.根据申请专利范围第37项之方法,其中该氟以约51012个原子/平方公分至约71015个原子/平方公分之量植入。40.根据申请专利范围第37项之方法,其中该氟以约1 KeV至约1 KeV之能量植入该基材中。41.根据申请专利范围第37项之方法,其中该氟以约10 KeV至约50 KeV之能植入该基材中。42.根据申请专利范围第35项之方法,其中该基材为矽基材。43.根据申请专利范围第35项之方法,其中该热氧化为乾或湿周围制程。44.一种在材料层上形成具有不同厚度之氧化物层之方法,其包含:将氟以第一含量植入该材料层中;将氟以第二含量植入该材料层中;热处理该材料层以形成该氧化物层,其中该氧化物层藉由氧化具有不同厚度之该材料层而形成。45.根据申请专利范围第44项之方法,其中该第一含量大于该第二含量。图式简单说明:第一图为依照本发明第一具体实施例之半导体晶圆在处理中间阶段之图示横切面图。第二图为依照本发明之半导体晶圆在第一图所示之后之处理阶段之图示横切面图。第三图为依照本发明之第二具体实施例之半导体晶圆在处理中间阶段之图示横切面图。第四图为依照本发明之半导体晶圆在第三图所示之后之处理阶段之图示横切面图。第五图为依照本发明之半导体晶圆在第四图所示之后之处理阶段之图示横切面图。第六图为依照本发明第三具体实施例之半导体晶圆显示具有不同厚度之闸极氧化物层之图示横切面图。第七图为依照本发明之半导体晶圆在第六图所示之后之处理阶段之图示横切面图。第八图为依照本发明之半导体晶圆在第七图所示之后之处理阶段之图示横切面图。第九图为依照本发明之半导体晶圆在第八图所示之后之处理阶段之图示横切面图。 |
