发明名称 有机发光二极体的制造方法
摘要 一种有机发光二极体的制造方法,此方法系在提供之基底上依序形成阳极、有机发光层与阴极。而在形成阳极、有机发光层之界面时,降低阳极材质于基底上之镀率,同时提高有机发光层材质在基底上之镀率,而在形成有机发光层、阴极之界面时,降低有机发光层材质于基底上之镀率,并且提高阴极材质在基底上之镀率,使阳极、有机发光层与阴极各层之间的异质接面模糊化,而形成异质接面模糊化之有机发光二极体。
申请公布号 TW463522 申请公布日期 2001.11.11
申请号 TW089123456 申请日期 2000.11.07
申请人 和立联合科技股份有限公司 发明人 彭光中
分类号 H05B33/00 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种有机发光二极体的制造方法,至少包括:提供一基底;提供一固定装置,用以固定该基底,且沿一水平方向移动,以及复数个镀源,该些镀源包括一阳极镀源、一有机发光层镀源及一阴极镀源,依序排列于该固定装置之移动路径上;藉由该固定装置将该基底移至该阳极镀源上方,以形成该阳极:在该阳极镀源完全形成该阳极前,缓慢移动该基底至该有机发光层镀源上方,以形成该有机发光层;在该有机发光层镀源完全形成该有机发光层前,缓慢移动该基底至该阴极镀源上方,以形成该阴极,且该阳极、该有机发光层及该阴极之间的异质接面模糊化。2.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中在该基底形成该阳极、该有机发光层与该阴极,包括以一蒸镀方式形成。3.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中在该基底形成该阳极、该有机发光层与该阴极,包括以一溅镀方式形成。4.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中在该阳极与该阴极之间更包括形成一电洞注入层、一电洞传导层与一电子传导层。5.如申请专利范围第4项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该电子传导层之材质包括以1:1的Alq3与金属锂所组成。6.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该些镀源更包括一电洞注入层镀源、一电洞传导层镀源与一电子传导层镀源。7.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该基底之材质包括一透明玻璃材质。8.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该基底之材质包括一透明塑胶材质。9.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该阳极之材质包括氧化铟锡。10.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该有机发光层之材质包括Alq3。11.如申请专利范围第1项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该阴极之材质选自铝、银等导电性良好之金属材质。12.一种有机发光二极体的制造方法,至少包括:提供一基底;提供一固定装置,用以固定该基底,以及复数个镀源,且该些镀源可以垂直方向上下移动,该些镀源包括一阳极镀源、一有机发光层镀源及一阴极镀源,并且平均分布于该基底之下方;将该阳极镀源升上而靠近该基底,以形成该阳极在该基底上:在该阳极镀源完全形成该阳极前,逐渐降下该阳极镀源,并将该有机发光层镀源逐渐升上,以形成该有机发光层;在该有机发光层镀源完全形成该有机发光层前,逐渐降下该有机发光层镀源,并将该阴极镀源逐渐升上,以形成该阴极,且该阳极、该有机发光层及该阴极之间的异质接面模糊化。13.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中在该基底形成该阳极、该有机发光层与该阴极,包括以一蒸镀方式形成。14.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中在该基底形成该阳极、该有机发光层与该阴极,包括以一溅镀方式形成。15.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中在该阳极与该阴极之间更包括一电洞注入层、一电洞传导层与上电子传导层。16.如申请专利范围第15项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该电子传导层之材质包括以1:1之Alq3与金属锂所组成。17.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该些镀源更包括一电洞注入层镀源、一电洞传导层镀源与一电子传导层镀源。18.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该基底之材质包括一透明玻璃材质。19.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该基底之材质包括一透明塑胶材质。20.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该阳极之材质包括氧化锡铟。21.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该有机发光层之材质包括Alq3。22.如申请专利范围第12项所述之有机发光二极体的制造方法,其中该阴极之材质选自铝、银等导电性良好之金属材质。图式简单说明:第一图A至第一图B是习知一种有机发光二极体之结构剖面图;第二图A至第二图B是依照本发明一较佳实施例之有机发光二极体之结构剖面图;第三图A至第三图B是依照本发明一较佳实施例之有机发光二极体的制造方法之装置示意图;以及第四图是依照本发明一较佳实施例之有机发光二极体的制造方法之装置示意图。
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