发明名称 用于影像感测器之光导片结构
摘要 一种用于影像感测器之光导片结构,具有一光线入射面与一光线出射面,光线经由光线入射面进入光导片结构,经过光导片结构的内部,经由光线出射面离开光导片结构,将光线投射至被感测物之上。
申请公布号 TW463494 申请公布日期 2001.11.11
申请号 TW089105979 申请日期 2000.03.30
申请人 前锦科技股份有限公司 发明人 卿辉东;李肇丰
分类号 H04N3/00 主分类号 H04N3/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种影像感测器,至少包含:一光源;一光导片结构,具有一光线入射面与一光线出射面,其中该光源发出光线经由该光线入射面进入该光导片结构,光线经由该光线出射面射出该光导片结构,投射至被感测物之上;一集光装置,收集从该被感测物所反射的光线;以及一感测元件,收集从该集光装置所投射的光线,并将光讯号转换感电讯号。2.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该感测元件系包含互补式金属氧化半导体电晶体元件(complementary metal-oxide-semiconductor transistor device;MOS transistor device)。3.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该光源系选自发光二极体、有机发光二极体、发光雷射二极体或任何可发出可见光光线的发光体的其中之一。4.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该光导片结构的该光线入射面的面积小于该光线出射面的面积,使得从该光线出射面所射出的光线具有均匀的光线强度,而且从该光线出射面射出的光线比起从该光线入射面射出的光线,具有较强的光线强度。5.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该光导片结构的该光线入射面具有至少一个凹槽,用以容纳该光源,使得该光源与该光线入射面能够紧密结合。6.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该光导片结构的各个侧面,除该光线入射面与该光线出射面之外,均涂上反射材料,使得光线从该光线入射面入射于该光导片结构之后,仅能由该光线出射面出射于该光导片结构之外。7.如申请专利范围第6项之影像感测器,其中该反射材料系包含钛酸钡材料。8.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该光导片结构系具有向中央凹入的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。9.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该光导片结构系具有向两侧突出的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。10.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该光导片结构系具有至少一个向中央凹入的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。11.如申请专利范围第1项之影像感测器,其中该光导片结构系具有至少一个向外突出的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。12.一种用于影像感测器之光导片结构,使得光线从一光线入射面进入该光导片结构,从一光线出射面离开该光导片结构,达到导引光线的目的。13.如申请专利范围第12项之光导片结构,其中该光导片结构的该光线入射面的面积小于该光线出射面的面积,使得从该光线出射面所射出的光线具有均匀的光线强度,而且从该光线出射面射出的光线比起从该光线入射面射出的光线,具有较强的光线强度。14.如申请专利范围第12项之光导片结构,其中该光导片结构的该光线入射面具有至少一个凹槽,用以容纳该光源,使得该光源与该光线入射面能够紧密结合。15.如申请专利范围第12项之光导片结构,其中该光导片结构的各个侧面,除该光线入射面与该光线出射面之外,均涂上反射材料,使得光线从该光线入射面入射于该光导片结构之后,仅能由该光线出射面出射于该光导片结构之外。16.如申请专利范围第15项之光导片结构,其中该反射材料系包含钛酸钡材料。17.如申请专利范围第12项之光导片结构,其中该光导片结构系具有向中央凹入的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。18.如申请专利范围第12项之光导片结构,其中该光导片结构系具有向两侧突出的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。19.如申请专利范围第12项之光导片结构,其中该光导片结构系具有至少一个向中央凹入的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。20.如申请专利范围第12项之光导片结构,其中该光导片结构系具有至少一个向外突出的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。21.一种影像感测器,至少包含:一电路板;一光源,装设在该电路板之第一面的一端;一光导片结构,装设在该光源的下方,该光源发出光线经由该光导片结构投射至被感测物之上;一集光装置,收集从该被感测物所反射的光线;以及一感测元件,装设在该电路板之第一面的另一端,且位于该集光装置的上方,收集从该集光装置所投射的光线,并将光讯号转换成电讯号。22.如申请专利范围第21项之影像感测器,其中该感测元件系包含互补式金属氧化半导体电晶体元件(complementarymetal-oxide-semiconductor transistor device;MOS transistordevice)。23.如申请专利范围第21项之影像感测器,其中该光源系选自发光二极体、有机发光二极体、发光雷射二极体或任何可发出可见光光线的发光体的其中之一。24.如申请专利范围第21项之影像感测器,其中该光导片结构的光线入射面的面积小于光线出射面的面积,使得从该光线出射面所射出的光线具有均匀的光线强度,而且从该光线出射面射出的光线比起从该光线入射面射出的光线,具有较强的光线强度。25.如申请专利范围第21项之影像感测器,其中该光导片结构的光线入射面具有至少一个凹槽,用以容纳该光源,使得该光源与该光线入射面能够紧密结合。26.如申请专利范围第21项之影像感测器,其中该光导片结构的各个侧面,除光线入射面与光线出射面之外,均涂上反射材料,使得光线从该光线入射面入射于该光导片结构之后,仅能由该光线出射面出射于该光导片结构之外。27.如申请专利范围第26项之影像感测器,其中该反射材料系包含钛酸钡材料。28.如申请专利范围第21项之影像感测器,其中该光导片结构系具有向中央凹入的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。29.如申请专利范围第21项之影像感测器,其中该光导片结构系具有向两侧突出的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。30.如申请专利范围第21项之影像感测器,其中该光导片结构系具有至少一个向中央凹入的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。31.如申请专利范围第31项之影像感测器,其中该光导片结构系具有至少一个向外突出的侧面,以补强在该光线出射面之两侧的光线强度,达到投射出均匀强度光线的目的。图式简单说明:第一图系显示一般影像感测器的操作原理,光源投射光线至被扫瞄标的,被扫瞄标的反射光线至集光装置,将光线集中投射至光线感测器,进行讯号处理;第二图系显示本发明之具有光导片结构之影像感测器,光源发出光线经过光导片结构投射到被扫瞄标的,被扫瞄标的反射光线并由集光装置接收光线,投射到光线感测器,以进行讯号处理,其中光导片结构可将光源发出的光线导至特定位置;第三图系显示本发明之具有光导片结构之影像感测器,光源发出光线经过弯曲光导片结构,以增长光线行进距离,使得投射在被扫瞄标的上的光线能够更加均匀,光线经由被扫瞄标的反射后,经由集光装置投射至光线感测器,以进行讯号处理,其中弯曲光导片结构能够增长光线的光程,使得光线在经过较长光程的传送之后,出射光线能够具有均匀的强度;第四图A系显示本发明之光导片结构,此光导片结构具有一光线入射面与一光线出射面,在光线入射面具有一凹槽使得光源能够与光线入射面紧密结合,而光线入射面的面积小于光线出射面的面积,光导片结构的两侧面为向中央凹入,使得出射光线具有均匀的强度;以及第四图B系显示本发明之光导片结构,此光导片结构具有一光线入射面与一光线出射面,在光线入射面具有一凹槽使得光源能够与光线入射面紧密结合,而光线入射面的面积小于光线出射面的面积,光导片结构的两侧面为向两边突出,以补强在光线出射面两边的光线强度。
地址 新竹科学工业园区新竹巿展业一路九号四之三楼