| 主权项 |
1.一种固体电解电容器,其在构成特征上具有:阳极体,系具有第1凹凸表面;介电体氧化被膜,系予设置在前述阳极体之第1凹凸表面,而其具有一致于前述第1凹凸表面之形状且以连续予以设置之第2凹凸表面;二氧化锰层,系予设置在前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面,而其具有在前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面,并设置为一致于前述第2凹凸表面之形状且连续的第3凹凸表面;导电性高分子层,系予设置在前述二氧化锰层之前述第3凹凸表面,及阴极层,系予设置在前述导电性高分子层之上方。2.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:前述第1凹凸表面,系具有含有多数之微细孔部与露出部之表面。3.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:具有前述第1凹凸表面之前述阳极体,系具有活门作用金属之多孔质烧结体。4.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:具有前述第1凹凸表面之前述阳极体,系具有被粗面化之金属箔。5.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:前述导电性高分子层,系具有依电解重合所形成之导电性高分子层。6.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中,其在构成上尚含有:第1露出部与第1微细孔部,系前述第1凹凸表面所具有;第2露出部与第2微细孔部,系前述第2凹凸表面所具有;及而前述二氧化锰层,乃予设置在前述介电体氧化被膜之前述第2微细孔部的表面,与前述第2露出部之表面的全表面。7.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:具有前述第1凹凸表面之前述阳极体,系在活门作用金属之多孔质烧结体,以及被粗面化之金属箔之中,至少亦具有其一项;前述导电性高分子层,系具有依电解重合所形成之导电性高分子层;及而前述二氧化锰层,系予设置在前述介电体氧化被膜之整个表面。8.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:前述二氧化锰层,系予设置为对于前述介电体被膜之1mm2为从约5ng至约15ng止之范围。9.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:前述二氧化锰层,系依从约6.5wt%至26.5wt%之浓度范围的硝酸锰水溶液之热分解所形成之层。10.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:前述二氧化锰层,系予设置为接触于前述第2凹凸表面之凹部与凸面之整个表面。11.如申请专利范围第1项之固体电解电容器,其中:前述导电性高分子层,系予设置为接触于前述第3凹凸表面之凹部与凸部之整个表面。12.一种固体电解电容器之制造方法,其构成特征在于具备:阳极体供给步骤,系予供给具有第1凹凸表面之阳极体;介电体氧化被膜形成步骤,系予形成在前述第1凹凸表面,而其具有一致于前述第1凹凸表面之第2凹凸表面;二氧化锰层形成步骤,系予形成在前述第2凹凸表面,而其在前述第2凹凸表面具有设置为一致于前述第2凹凸表面之形状且连续之第3凹凸表面;导电性高分子层形成步骤,系予形成在前述二氧化锰层之前述第3凹凸表面;及阴极层形成步骤,系予形成在前述导电性高分子层之上方。13.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中:前述第1凹凸表面,系具有多数之微细孔部。14.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中:具有前述第1凹凸表面之前述阳极体,系具有活门作用金属之多孔质烧结体。15.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中:具有前述第1凹凸表面之前述阳极体,系具有被粗面化之金属箔。16.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中:前述介电体氧化被膜形成步骤在构成上再含有:氧化被膜形成步骤,系依化成处理所形成。17.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中,前述二氧化锰形成步骤在构成上具有:硝酸锰水溶液附着步骤,系予附着在前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面;及二氧化锰层形成步骤,系将前述硝酸锰水溶液作热分解处理而予形成。18.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中,前述二氧化锰形成步骤在构成上具有:含浸步骤,系将具有前述介电体氧化被膜之前述阳极体,予以含浸在从约6.5wt%至约26.5wt%止之浓度范围的硝酸锰水溶液;取出步骤,系从前述硝酸锰水溶液之中取出前述阳极体;及热分解处理步骤,系将附着在前述阳极体之前述硝酸锰水溶液作热分解处理。19.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中,前述导电性高分子层形成步骤乃具有:将具有前述二氧化锰层之前述阳极体载置在单体含有液之中,并对前述二氧化锰层流通电流,而在前述第3凹凸表面予以形成前述导电性高分子之步骤。20.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其构成含有:具有前述第1凹凸表面之前述阳极体,系在活门作用金属之多孔质烧结体,以及被粗面化之金属箔之中至少亦具有其一种;前述介电体氧化被膜形成步骤,系具有依化成处理予以形成氧化被膜之步骤;前述二氧锰形成步骤尚具有;附着步骤,系对具有前述介电体氧化被膜之前述阳极体,予以含浸从约6.5wt%至约26.5wt%止之浓度范围的硝酸锰水溶液,并在前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面,附着硝酸锰水溶液;及热分解处理步骤,系将附着在前述阳极体之前述硝酸锰水溶液作热分解处理;前述导电性高分子层形成步骤尚具有:导电性高分子形成步骤,系将具有前述二氧化锰层之前述阳极体,予以载置在单体含有液之中,并予流通电流于前述二氧化锰层而予形成在前述第3凹凸表面。21.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中,前述二氧化锰层形成步骤尚具有:含浸步骤,系将具有前述介电体氧化被膜之前述阳极体,含浸在具有从约10℃至约40℃之温度范围的硝酸锰水溶液。22.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中:前述阳极体之前述第1凹凸表面,系具有第1微细孔部;前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面,系具有合致于前述第1微细孔部之形状的第2微细孔部;及前述二氧化锰层形成步骤乃具有:浸渍步骤,系将前述阳极体浸渍在前述硝酸锰水溶液之中,而至前述硝酸锰水溶液浸透于前述第2微细孔部之内部的表面为止。23.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中,前述二氧化锰层形成步骤再具有:附着步骤,系将硝酸锰水溶液附着在前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面;去除步骤,系将附着在前述阳极体之过剩的前述硝酸锰水溶液予以去除;及热分解处理步骤,系将前述硝酸锰水溶液作热分解处理。24.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中,前述二氧化锰层形成步骤尚具有:附着步骤,系将硝酸锰水溶液附着在前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面;及热分解处理步骤,系将附着在前述第2凹凸表面之前述硝酸锰水溶液,于具有湿度之环境中作热分解处理。25.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中前述二氧化锰层形成步骤尚具有:附着步骤,系将硝酸锰水溶液附着在前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面;及热分解处理步骤,系在含有8510vol%之水蒸气量的环境中,将附着在前述第2凹凸表面之前述硝酸锰水溶液作热分解处理。26.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中前述二氧化锰层形成步骤尚含有:浸渍步骤,系将具有前述介电体被膜之前述阳极体,予以浸渍在硝酸锰水溶液之中;附着步骤,系将前述阳极体从前述硝酸锰水溶液之中取出,并使前述硝酸锰水溶液附着在前述介电体氧化被膜之前述第2凹凸表面;及保持步骤,系将具有前述硝酸锰水溶液之前述阳极体,于1分钟以内予以昇温至热分解处理温度,并以前述热分解处理温度保持3分钟以上。27.如申请专利范围第26项之固体电解电容器的制造方法,其中:前述热分解处理温度为30010℃。28.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中前述二氧化锰层形成步骤尚具有:系予接触在前述第2凹凸表面之凹部与凸部之整个表面,而予形成二氧化锰层之步骤。29.如申请专利范围第12项之固体电解电容器的制造方法,其中前述导电性高分子层形成步骤具有:系予接触在前述第2凹凸表面之凹部与凸部之整个表面,而予形成导电性高分子层之步骤。图式简单说明:第一图系表示本发明之一实施例的固体电解电容器之主要部份的截面图。第二图系表示作为本发明之比较例的固体电解电容器之主要部份的截面图。第三图系表示作为其他比较例的固体电解电容器之主要部份的截面图。第四图系表示本发明之一实施例的固体电解电容器之制造方法的制程。 |
