| 摘要 |
提供了一种形成半导体装置之微布局图案之方法,且更特别的是,一个具有高步阶高度差异和高反射率之半导体底材上形成微布局图案之技术,且具有透明薄膜出现在曝光波长光线之中及电路分布和光阻之间的堆叠结构。此方法包含的步骤为在透明薄膜之上形成双层预防反射薄膜,在双层预防反射薄膜之上形成光阻布局图案,且利用光阻布局图案作为遮罩,将双层预防反射薄膜和透明薄膜加以蚀刻,移除布局图案以形成预定之光阻布局图案,且蚀刻次一层以便较容易执行接下来的方法。因此,半导体元件之品质和产出良率获得了改善,也能够生产具高度积极化之半导体元件。 |
| 主权项 |
1.一种形成半导体装置之微布局图案的方法,包含的步骤为:提供步阶高度差之半导体底材;于曝光波长中在半导体底材之上形成透明薄膜;在透明薄膜之上形成具有非晶矽薄膜和氧化矽-氮化矽薄膜等堆叠结构之双层预防反射薄膜,其中非晶矽薄膜和氧化矽-氮化矽薄膜分别具有100-500之厚度;在双层预防反射薄膜之上形成光阻布局图案;利用光阻布局图案作为遮罩,选择性的移除双层预防反射薄膜和透明薄膜;且移除光阻布局图案。2.如申请专利范围第1项之方法,其中透明薄膜以氧化薄膜或氮化薄膜形成。3.如申请专利范围第1项之方法,其中多晶矽薄膜和氧化矽-氮化矽薄膜之堆叠结构作为双层预防反射薄膜。4.一种形成半导体装置之微布局图案的方法,包含的步骤为:在半导体底材上依序形成第一个垫绝缘薄膜和第二个垫绝缘薄膜;在第二个垫绝缘薄膜之上形成具有非晶矽薄膜和氧化矽-氮化矽薄膜之堆叠结构的双层预防反射薄膜;以电浆处理此双层预防反射薄膜;在双层预防反射薄膜上形成光阻布局图案;利用光阻布局图案作为遮罩,选择性的移除双层反射薄膜和第二个垫绝缘薄膜;移除光阻布局图案;且蚀刻第一个垫绝缘薄膜和剩下的双层预防反射薄膜,且由曝光预定之半导体底材部分而形成第一个和第二个垫绝缘布局图案。5.如申请专利范围第4项之方法,其中第一个垫绝缘薄膜为一氧化薄膜,且第二个垫绝缘薄膜为氮化薄膜。6.如申请专利范围第4项之方法,其中多晶矽薄膜和氧化矽-氮化矽薄膜之堆叠结构用于双层预防反射薄膜。7.如申请专利范围第4项之方法,其中非晶矽利用PECVD方式或热DVD方法形成100-500之厚度。8.如申请专利范围第7项之方法,其中非晶矽由PECVD方法在电浆产生频率13.56MHz及功率0-10000W,并具有0.01-10Torr之压力和室温-600℃之底材温度的条件下形成。9.如申请专利范围第7项之方法,其中非晶矽由热CVD方法在0.01-760Torr之压力和400-900℃之底材温度条件下形成。10.如申请专利范围第4项之方法,其中非晶矽利用10-10000sccm之SiH4或Si2H6气体形成。11.如申请专利范围第4项之方法,其中非晶矽的形成利用加入10-30000 sccm H2或N2气体到SiH4或SiH6气体内加以稀释。12.如申请专利范围第4项之方法,其中氧化矽-氮化矽薄膜之折射率在248nm之光波波长时实数部分和虚数部分之范围为2.10.1和0.50.2。13.如申请专利范围第4项之方法,其中氧化矽-氮化矽薄膜以PECVD方法形成250-350之厚度。14.如申请专利范围第4项之方法,其中氧化矽-氮化矽薄膜利用0-500sccm之SiH4或SiH6气体,0-1000sccm之N2O气体,0-300sccm之NH3气体,0-5000 sccm之N2气体,及0-5000 sccm之H2气体所形成。15.如申请专利范围第4项之方法,其中氧化矽-氮化矽薄膜之形成乃混合N2气体和H2气体作为稀释之用。16.如申请专利范围第4项之方法,其中氧化矽-氮化矽薄膜在0.01-10Torr之压力,100-500℃之底材温度,0-1000W之高电压及13.56MHz之频率功率下形成。17.如申请专利范围第4项之方法,其中双层预防反射薄膜在没有振动下于设备内“原位置"(in-situ)形成。18.如申请专利范围第4项之方法,其中电浆处理方法利用氧气电浆或N2O电浆薄膜加以执行。19.如申请专利范围第4项之方法,其中双层预防反射薄膜和第二个垫绝缘薄膜之蚀刻方法的执行乃为双层预防反射薄膜和第二个垫绝缘薄膜之蚀刻选择比率为1:1-3。20.如申请专利范围第4项之方法,其中双层预防反射薄膜和第一个垫绝缘薄膜之蚀刻方法的执行乃为双层预防反射薄膜和第一个垫绝缘薄膜之蚀刻选择比率为1-3:1。21.一种形成半导体装置之微布局图案之方法,包含的步骤为:在半导体底材之上形成一元素隔离绝缘薄膜和一闸极电极;形成绝缘薄膜使得半导体底材之表面平坦化;在绝缘薄膜之上形成具有非晶矽薄膜的氧化矽-氮化矽薄膜之堆叠结果的双层预防反射薄膜;以电浆处理此双层预防反射薄膜;在双层预防反射薄膜之上形成光阻布局图案;利用光阻布局图案作为遮罩,形成接触孔洞以曝光半导体底材和闸极电极之预定部份;移除光阻布局图案;且移除双层预防反射薄膜。22.如申请专利范围第21项之方法,其中双层预防反射薄膜以多晶矽薄膜和氧化矽-氮化矽薄膜之堆叠结构形成。23.如申请专利范围第21项之方法,其中的电浆处理利用氧气电浆或N2O电浆薄膜加以执行。图式简单说明:第一图和第二图显示了依照先前之技术形成半导体元件之微布局图案之方法的截面视图;第三图显示了依照第二图之先前技术之图形;且第四图到第九图显示了依照本发明形成半导体元件之微布局图案之方法的截面视图。 |
