改善因散射光导致线路图案缩短的光学校正方法

摘要

本发明揭示一种光学微影制程的改良方法，其仅需利用简单的辅助图案来校正光罩上之线路图案，免除了繁杂的衬线(serif)或锤头线(hammer head)等修正过程，该方法系依据线路图案末端之间距而在适当位置增设辅助铬(Cr)方块图案，其尺寸系介于曝光波长的三分之一至二分之一，藉此可改善因散射光(scattering light)导致曝光后光阻图案缩短(shrinkage)的问题，却不会在光阻层上造成新的方块图案，此外也可避免产生驻波(standing wave)效应而影响图案转移的性质。

主权项

1.一种改善因散射光(scattering light)导致线路图案缩短(shrinkage)的光学校正方法,包括下列步骤:于一光罩基板上提供复数线路图案,其中该线路图案末端之间距a系不大于曝光波长的五倍(a≦5);以及于该线路图案末端之间增设一辅助铬(Cr)方块图案,其尺寸与位置应符合下列关系式者:其中,d系辅助铬方块图案与线路图案末端之间距、x与y分别系辅助铬方块图案的长宽尺寸;藉此,除抑制散射光以防止线路图案缩短,并避免产生驻波效应而影响图案转移的性质。2.如申请专利范围第1项所述的改善因散射光导致线路图案缩短的光学校正方法,其中该曝光波长系小于0.5微米。3.如申请专利范围第2项所述的改善因散射光导致线路图案缩短的光学校正方法,其中该曝光波长系小于0.25微米。4.一种改善因散射光(scattering linht)导致线路图案缩短(shrinkage)的光学校正方法,包括下列步骤:于一光罩基板上提供复数线路图案,其中该线路图案末端之间距a系大于曝光波长的五倍(a>5);以及于该线路图案末端附近增设一辅助铬(Cr)方块图案,其尺寸与位置应符合下列关系式者:其中,d 系辅助铬方块图案与线路图案末端之间距、x与y分别系辅助铬方块图案的长宽尺寸;藉此,除抑制散射光以防止线路图案缩短,并避免产生驻波效应而影响图案转移的性质。5.如申请专利范围第4项所述的改善因散射光导致线路图案缩短的光学校正方法,其中该曝光波长系小于0.5微米。6.如申请专利范围第5项所述的改善因散射光导致线路图案缩短的光学校正方法,其中该曝光波长系小于0.25微米。图式简单说明:第一图系一上视图,用以显示习知之光学微影制程后线路图案缩短的现象,其中图的左侧系显示光罩上之线路图案,图的右侧系显示显影后的光阻线路图案;第二图系一上视图,用以显示利衬线或锤头线做光学校正之光学微影制程,其中图的左侧系显示光罩上之线路图案,图的右侧系显示显影后的光阻线路图案;第三图系一上视图,用以显示本发明光学校正改良方法的一个实施例(a≦5者);以及第四图系一上视图,用以显示本发明光学校正改良方法的另一个实施例(a>5者)。