| 主权项 |
1.一种用于制造一半导体装置之电容器的方法,该方法包含下列步骤:于一半导体基材上形成一绝缘内层,该绝缘内层具有一包埋之接触洞,该接触洞暴露出该基材之表面的预定部位;于该具有包埋接触洞之绝缘内层的预定部位形成一下电极;进行第一次清洁制程;于该下电极之表面的暴露部位长成HSG;进行第二次清洁制程;将PH3掺杂于HSG中;以及于前置步骤之最终结构上形成一介电层且不崩解其真空状态。2.一种用于制造一半导体装置之电容器的方法,该方法包含下列步骤:于一半导体基材上形成一绝缘内层,该绝缘内层具有一包埋之接触洞,该接触洞暴露出该基材之表面的预定部位;于该具有包埋之接触洞之绝缘内层的预定部位形成一下电极;进行一清洁制程;于该下电极之表面的暴露部位长成HSG;将PH3掺杂于HSG中且不崩解其真空状态;以及于前置步骤之最终结构上形成介电层且不崩解其真空状态。图式简单说明:第一图系为一用于说明一般之半导体装置的DRAM电容器之构造的横截面图;第二图系为一用于说明一用于制造第一图所显示之电容器之传统方法的操作方块图;第三图系为一用于说明一用于制造如本发明之一具体实施例之如第一图所显示之电容器之方法的操作方块图;第四图系为一用于说明一用于制造如本发明之另一具体实施例之如第一图所显示之电容器之方法的操作方块图。 |
