| 主权项 |
1.一种闸极结构的制造方法,适用于一基底上,该方法包括下列步骤:于该基底上形成一闸介电层与该闸介电层上方之一多晶矽闸极;将该基底置于一含氧电浆中;在该基底上施加一负电压,以使该含氧电浆中的氧离子植入该多晶矽闸极的表层;在一惰性气体环境下进行一回火步骤,以使植入于该多晶矽闸极表层之氧与矽反应,而形成一氧化矽缓冲层;以及形成一间隙壁于该多晶矽闸极侧壁之该氧化矽缓冲层的外侧。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该间隙壁之材质包括氮化矽。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该闸介电层包括一闸氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该含氧电浆系为一纯氧气电浆与一氮气氧气电浆二者之一,且该氮气氧气电浆中氧气的含量大于等于1%,小于100%。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该惰性气体环境包括一氮气环境。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该含氧电浆中之氧离子的能量介于200eV至5000eV之间。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该含氧电浆对于该基底的氧离子植入剂量大于1017/cm2。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该缓冲氧化层之厚度介于50至200之间。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该回火步骤之温度介于700℃至1000℃之间。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该回火步骤包括一快速热回火步骤。11.一种多晶矽导线结构的制造方法,适用于一基底上,该方法包括下列步骤:形成一多晶矽导线于该基底上;将该基底置于一含氧电浆中;在基底上施加一负电压,以使该含氧电浆中的氧离子植入该多晶矽导线的表层;在一惰性气体环境下进行一回火步骤,以使植入于该多晶矽导线表层之氧与矽反应,而形成一氧化矽缓冲层;以及形成一间隙壁于该多晶矽导线侧壁之该氧化矽缓冲层的外侧。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该间隙壁之材质包括氮化矽。13.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该含氧电浆系为一纯氧气电浆与一氮气氧气电浆二者之一,且该氮气氧气电浆中氧气的含量大于等于1%,小于100%。14.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该惰性气体环境包括一氮气环境。15.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该含氧电浆中之氧离子的能量介于200eV至5000eV之间。16.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该含氧电浆对于该基底的氧离子植入剂量大于1017/cm2。17.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该缓冲氧化层之厚度介于50至200之间。18.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该回火步骤之温度介于700℃至1000℃之间。19.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该回火步骤包括一快速热回火步骤。图式简单说明:第一图A-第一图D所绘示为本发明较佳实施例之闸极结构的制造方法。 |
